【产品】40V/2.5mΩ N沟道MOSFET JMSL0403AGQ,结到壳的热阻最大值为2.0℃/W

2022-05-16 捷捷微电
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JMSL0403AGQ捷捷微电推出的一款40V 2.5mΩ的N沟道功率MOSFET,采用PDFN5x6-8L封装,具有开关速度快、低漏源导通电阻、低栅极电荷等特性。JMSL0403AGQ的漏源电压额定值为40V,栅极开启阈值电压典型值1.5V(VDS=VGS,ID=250μA),连续漏极电流额定值114A(Tc=25℃),静态漏源导通电阻的典型值为2.5mΩ(VGS=10V,ID=20A)、3.3mΩ(VGS=4.5V,ID=15A),结到环境的热阻值最大值为65℃/W,结到壳的热阻最大值为2.0℃/W。产品实物图和等效电路图如下。

产品特性

•超低RDS(ON)

•低栅极电荷

•大电流能力

•100% UIS测试,100% Rg测试

•符合AEC-Q101标准

•用于汽车应用的功率MOSFET


绝对最大额定值(@TA=25℃,除非另外说明)

电气参数(@TJ=25℃,除非另外说明)

热阻

产品订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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  • terrydl Lv9. 科学家 2022-06-23
    学习
  • 阿尼古 Lv8. 研究员 2022-05-20
    学习
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