【技术】解析SiC MOSFET结构及特性

2022-10-12 HI-SEMICON公众号
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SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有两种:平面结构和沟槽结构,平面SiC MOSFET的结构,如图1所示。这种结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构的中间,N区夹在两个P区域之间,当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时,将产生JFET效应,从而增加通态电阳;同时,这种结构的寄生电容也较大。

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平面SiC MOSFET的结构


沟槽SiC MOSFET的结构,如下图所示。这种结构将栅极埋入基体中,形成垂直的沟道,由于要开沟槽,工艺变得复杂,单元的一致性、雪崩能量比平面结构差。但是,由于这种结构可以增加单元密度,没有JFET效应,沟道晶面实现最佳的沟道迁移率,导通电阻比平面结构要明显的降低:同时,寄生电容更小,开关速度快。开关损耗非常低,因此,新一代的结构都研究和采用这种结构。


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沟槽SiC MOSFET的结构


沟槽结构SiC MOSFET最主要的问题在于,由于器件工作在高压状态,内部的工作电场强度高,尤其是沟槽底部,工作电场强度非常更高,很容易在局部超过最大的临界电场强度,从而产生局部的击穿,影响器件工作的可靠性,如下图所示。

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沟槽SiC MOSFET结构内部工作电场


因此,新一代的SiC MOSFET沟槽结构,技术演进的方向都是如何减小沟槽底部的工作电场强度,比如Rohm的双槽结构、Infineon的非对称沟槽结构,等等,如以下二图所示。


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Rohm双沟槽结构


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Infineon非对称沟槽结构


这些结构的核心就是或在沟槽底部增加缓冲层,或把P区下移让P和沟槽底部的N区形成耗尽层。从而把沟槽底部氧化层的电场,部分转移到P区耗尽层,减小沟槽底部的电场。

减小沟槽底部工作电场示意图


Infineon非对称沟槽结构内部电场分布




平面结构SiC MOSFET的基本工艺和各项成本占比,如图8、图9所示,可以看到,目前SiC晶体的衬底依然占非常大的比例,达到38%,如果加上SiC晶体的衬底的减薄和抛光工艺,比例高达50%以上。 


其主要原因在干SiC生长的速慢,温度高,工艺复杂度,容易产生各种晶格缺陷。Si生长速度为100mm/小时,最大直径450mm,最大厚度2m;SiC生长的速度为100~300μm/小时,2100℃,最大直径150mm,最大厚度50mm。


外延工艺的成本占比为17%左右,封装成本的占比为11%左右;产品的良率导致的成本占比为21%,如何控制SiC MOSFET生产过程中产生的缺陷,提高生产过程中的良率,依然是各产家需要面对的重要的问题,其不仅关系到产品的成本,更关系到产品在客户应用的可靠性。

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平面结构SiC MOSFET基本工艺

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平面结构SiC MOSFET工艺成本占比

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型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T

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