【产品】650V/190mΩ的超结功率MOSFET AKS65N1K9DM，具有低FOM性能，无卤且符合RoHS标准

时间： 2022-12-15 来源：瑶芯微

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瑶芯微推出型号为AKS65N1K9DM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更优的EMI（电磁干扰）特性。

最大额定参数值方面（T_A=25℃，除非另有说明），器件漏-源电压最大额定值为650V，持续漏极电流最大额定值高达20A（T_C=25℃，最大漏极电流额定值受限于器件封装和最高结温)，栅-源电压最大额定值为±30V，器件耗散功率最大额定值为208W（T_C=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃；热阻特性方面，稳态热阻（结至外壳）为0.6°C/W，稳态热阻（结至环境）为50.6°C/W(贴装在最小PCB板上)；电气参数方面（T_J=25℃，除非另有说明），当V_GS=10V，I_D=4A时，器件漏源导通电阻典型值低至140mΩ，最大值低至190mΩ；器件主要应用于开关电源（SMPS），不间断电源（UPS），功率因数校正（PFC）等领域。

器件特征

低FOM R_DS(ON)×Q_G
EMI特性更优
100% UIS和介质隔离(绝缘)测试
符合RoHS标准（详细信息，可联系ALKAIDSEMI销售）
无卤器件（详细信息，可联系ALKAIDSEMI销售）

器件应用领域

开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）

最大额定值（T_A=25℃，除非另有说明）

热阻值

Note：

1.最大漏极电流额定值受限于器件封装和最高结温；

2.重复额定值：脉冲宽度受限于最高结温；

3.L=10.8mH，V_DD=150V，I_AS=8.5A，R_G=25Ω，T_J=25℃开始，设计保证

4.贴装在最小PCB板上；

电气参数（T_J=25℃，除非另有说明）

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