【产品】650V/190mΩ的超结功率MOSFET AKS65N1K9DM,具有低FOM性能,无卤且符合RoHS标准

2022-12-15 瑶芯微
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瑶芯微推出型号为AKS65N1K9DM超结功率MOSFET,该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更优的EMI(电磁干扰)特性。

最大额定参数值方面(TA=25℃,除非另有说明),器件漏-源电压最大额定值为650V,持续漏极电流最大额定值高达20A(TC=25℃,最大漏极电流额定值受限于器件封装和最高结温),栅-源电压最大额定值为±30V,器件耗散功率最大额定值为208W(TC=25℃),器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃;热阻特性方面,稳态热阻(结至外壳)为0.6°C/W,稳态热阻(结至环境)为50.6°C/W(贴装在最小PCB板上);电气参数方面(TJ=25℃,除非另有说明),当VGS=10V,ID=4A时,器件漏源导通电阻典型值低至140mΩ,最大值低至190mΩ;器件主要应用于开关电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。

器件特征

  • 低FOM RDS(ON)×QG

  • EMI特性更优

  • 100% UIS和介质隔离(绝缘)测试

  • 符合RoHS标准(详细信息,可联系ALKAIDSEMI销售)

  • 无卤器件(详细信息,可联系ALKAIDSEMI销售)


器件应用领域

  • 开关电源(SMPS)

  • 不间断电源(UPS)

  • 功率因数校正(PFC)


最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)

热阻值

Note:

1.最大漏极电流额定值受限于器件封装和最高结温;

2.重复额定值:脉冲宽度受限于最高结温;

3.L=10.8mH,VDD=150V,IAS=8.5A,RG=25Ω,TJ=25℃开始,设计保证

4.贴装在最小PCB板上;


电气参数(TJ=25℃,除非另有说明)

订购信息


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技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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