【经验】Silicon Labs电容隔离产品常见失效模式分析

2019-05-18 世强
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本文介绍SILICON LABS电容隔离产品常见失效模式分析,常见失效模式有两种,第一种失效为输入输出端超过耐压限值,第二种失效为电容隔离两端任意一侧有高压大电流流入,破坏隔离内部电路。理解失效模式,可以帮助客户在设计前期规避风险,提高系统可靠性和稳定性。


一、第一种失效模式:输入输出侧超过绝缘耐压限值

图1   第一种失效模式


失效原因:加在隔离器两侧的高电压应力超过隔离电压极限值,数字隔离器的隔离介质被击穿并且短路。

解决方法:选用比终端设备要求更高的耐压隔离器。


二、第二种失效模式:输出侧电源VDD以及输出端电压超过限制。

图2    第二种失效模式

具体体现为以下三种情况:

1、输入侧VDD1超过额定最大值;

2、输出侧VDD2超过额定最大值;

3、输出侧有高压串入,例如驱动栅极驱动后端IGBT/MOSFET失效导致高压串入驱动前端,导致隔离器过大的电压应力以及热应力。


解决方法:

1、输入侧:供电或输入信号有被干扰。电源上串接20~50欧电阻,管脚处放置10uF,100nF电容。输入信号串接RC滤波器。

2、输出侧:隔离器有可能供电被干扰。电源上串接20~50欧电阻,管脚处放置10uF,100nF电容。

3、隔离驱动侧快速开关有大的dv/dt,寄生电容导致输出驱动信号超过VDD+0.5。可靠近输出驱动管脚加TVS钳位,增大驱动电阻。

4、隔离驱动侧开关整机的时候,储能元件(主要是电感)会感应出负压,使得VDD-GND>30V打坏芯片。可在FET管并二极管,GND线上串小电阻,软开通,软关断。


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