【经验】如何计算IGBT单次浪涌电流脉冲的瞬时温升?
IGBT、MOSFET、功率二极管等功率器件在出现重复峰值电流IFR、浪涌电流IFS或者发生雪崩击穿时,瞬时结温会比较高,为了防止功率器件在工作周期中很快受到热应力损坏,因此需要考虑对瞬时结温降额,可以通过浪涌电流、重复峰值电流和雪崩能量在相应壳温下降额来保证。本文重点介绍ROHM的IGBT开关管RGS80TSX2DGC11,在开关电源母线电压放电电路中如何计算IGBT单次浪涌电流脉冲的瞬时温升?
一般在开关电源中大部分开关管频率都在几十kHz~几百kHz 之间,电流波形宽度在1ms 以内,此时如果电流波形幅值小于相应壳温下额定电流幅值降额后的值,一般器件不会有问题,但如果幅值超过了,是否就通不过了呢?我们产品中经常出现幅值远高于厂家规格书给定值而持续时间远小于给定条件的情况。这时,要衡量此类情况的风险性,可以通过计算瞬时最高结温来考核IGBT的可靠性。
图1 UPS不间断电源母线放电电路原理图
在UPS不间断电源母线电压放电电路中的实际应用如上图1所示,一般在电源正常工作时中异常电掉后母线上的电解电容会慢慢放电,考虑安规要求必须要在1S内母线电压放到60V以下,因此通过在正负母线之间通过IGBT和绕线电阻构成的回路来进行快速放电,由于该IGBT工作在单次脉冲下考虑整机空间和布局无散热器来进行散热,因此需要计算IGBT在单次浪涌电流脉冲的瞬时温升,来考核IGBT的可靠性。
一般厂家都会提供矩形功耗脉冲时的瞬时热阻曲线,然而实际电路中的功耗波形大都不是矩形的,在这种情况下的处理方法如下:将此类波形置换为峰值功率Pm相同、面积相同的矩形功耗波形(如下图2蓝色部分),然后根据折算后的矩形功耗波形的时间宽度tp,查瞬时热阻曲线,得到相应的瞬时热阻Ztp。
计算公式; △Tj =Pm*Ztp
图2 正弦波、三级波电路波形折算示意图
下图3所示是实际测试波形,IGBT开通关断后的波形,CH1黄:VGS ,CH2蓝:VDS ,CH3红:IDS,MATH橙:CH2*CH3,VDS尖峰:1180V:
图3 实测IGBT单次开通关断后的波形
图4 实测IGBT正弦波形处理方法折算示意图
通过上图4正弦波形处理方法折算示意图可计算出测试波形等效脉宽如下:
Tp=(1/2*200*1050+1/2*(1050+2160)*50+1/2*136*2160)/2160=332130/2160=154ns
由于一般厂家在提供IGBT开关管的瞬时热抗曲线时,除了提供单次脉冲下的曲线外,也会提供不同占空比时重复脉冲电流下的瞬时热抗曲线,比如上述图1 UPS不间断电源母线放电电路使用的IGBT RGS80TSX2DGC11的瞬时热抗曲线如下图5:
图5 矩形功耗脉冲时的瞬时热阻曲线
通过上图5可知单次脉冲宽度小于10us可按照10us计算,通过矩形功耗波形的时间宽度tp=10μs,可查出瞬时热阻曲线,得到相应的瞬时热阻Ztp=0.005℃/W
瞬时温升=0.005(瞬时热阻)*2160(峰值功率)=10.8℃
环温Tc=55℃,测试壳温:80.28℃
Peak Tj=Pdm*Ztp+TC
Tj罗姆:10.8℃+80.28℃=91.085℃
通过计算罗姆IGBT的瞬时结温为91.085℃,低于IGBT在额定工作电流下降额后的结温,因此在这种工况下不会有损坏的风险。
最后补充几点:
(1)准确的计算IGBT的瞬时结温比较复杂,需要通过热阻模型计算,通过上诉方法计算得出的结果满足公司降额规范的话,可以保证器件在正常工作中处于安全可靠的性能。
(2)在雪崩击穿时的降额考核可以参照电流的方法,计算瞬时结温来考核。
(3)如果厂家规格书没有提供瞬时热抗曲线时,可以参考其他对标的厂家,p2p器件的瞬时热抗曲线
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由陌吠提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【经验】SiC-MOSFET与IGBT的区别
本章将针对ROHM推出的SiC-MOSFET与IGBT的区别进行介绍。SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面,导通电阻特性的变化呈直线型,因此在低电流范围优于IGBT。SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。
设计经验 发布时间 : 2018-12-24
IGBT IPM的短路电流保护功能
本文详细介绍了短路电流保护功能(SCP)是通过在IPM外部连接分流电阻并将电阻产生的电压反馈至CIN引脚电路的功能。CIN引脚需要用RC滤波器来防止误动作。短路电流保护仅作用于下桥臂。当短路电流保护功能启动时,需要立即停止运行,避免异常状态。分流电阻值和RC滤波器的时间常数先根据所提供的公式参考推荐值进行设置,最终需要在实际应用产品上确认工作情况后来决定。
设计经验 发布时间 : 2024-07-11
详解IGBT IPM的封装:以ROHM第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列为例
BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列分HSDIP25和HSDIP25VC两种引脚形状。HSDIP25为加长型产品(后缀:-VA),HSDIP25VC为控制侧交错型产品(后缀:-VC)。两者的封装尺寸(不包括引脚)均为38.0mm×24.0mm×3.5mm。另外,两者的引脚数量均为25个。下面分别介绍其外形尺寸、引脚配置、印标和散热器的安装方法。
设计经验 发布时间 : 2023-11-22
研讨会2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI) | 中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE) | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes) | 中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip) | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子(CRM ICBG ) | Kyocera(京瓷)——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER) | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动(HVIC)制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics) | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY) |
活动 发布时间 : 2024-10-12
ROHM IGBT选型表
提供电压范围600-1800V,电流范围3-80A的IGBT单管(场截止沟槽型IGBT/Field Stop Trench IGBT)选型,8种行业标准封装,工业级和车规级产品。
产品型号
|
品类
|
电压(V)
|
电流(A)
|
封装
|
器件等级
|
RGS30TSX2GC11
|
Field Stop Trench IGBT
|
1200V
|
15A
|
TO-247N
|
Industrial Grade
|
选型表 - ROHM 立即选型
【IC】ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT,助力汽车和工业设备应用效率提升
ROHM面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT。
产品 发布时间 : 2024-11-08
ROHM(罗姆)IGBT选型指南(中文)
描述- ROHM的IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品为高电压、大电流广泛应用的高效化和节能化做出了贡献。
型号- RGSX5TS65HR,RGS30TSX2DHR,RGWS SERIES,MG7110WZ,RGTH40TS65,RGW40TK65,MG6404WZ,RGS60TS65DHR,MH2106WZ,RGW40TS65,RGSX5TS65DHR,MG6307WZ,RGS30TSX2D,MG7107WZ,MH2204WZ,RGTH60TS65D,MG6405WZ,RGTH40TK65,MG7215WZ,RGT40TS65D,RGW80TS65,RGW80TK65,RGT50TM65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGT50NS65D,MG6403WZ,RGCL SERIES,RGS80TSX2HR,SG6610WN,MG6306WZ,RGTH80TS65,MG6305WZ,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGS00TS65DHR,RGPR20BM36HR,RGW00TS65D,MG7106WZ,MH2203WZ,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGWS80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,MG7216WZ,RGTH80TK65D,RGWS80TS65,RGS80TS65HR,RGTH50TS65D,RGW60TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGW00TS65,RGTVX6TS65,RGT30TM65D,RGW80TS65D,MH2206WZ,RGWX5TS65D,RGC,RGPR10BM40FH,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,MG7213WZ,RGT,RGS,RGT20NL65,RGWX5TS65DHR,RGW,RGCL60TK60D,RGPR30BM40HR,MH2107WZ,RGTVX6TS65D,RGTH40TS65D,RGT00TS65D,RGS80TSX2D,MG6308WZ,RGSX5TS65EHR,RGPR20NS43HR,MG7104WZ,RGWSX2TS65D,SG7110WN,RGW40TK65D,MH2205WZ,RGW00TK65,RGS00TS65HR,RGW60TS65,RGT16BM65D,RGT16TM65D,MG7214WZ,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGW50TS65,MG7901WZ,RGW50TK65,RGC SERIES,RGWX5TS65HR,RGW00TS65DHR,MH2208WZ,RGTH50TS65,RGT20TM65D,MH2101WZ,RGWS00TS65D,RGW80TS65DHR,RGT8NS65D,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGW□80TS65DHR,RGWS60TS65D,RGTH00TK65D,RGTH SERIES,RGT30NS65D,MG7211WZ,RGTVX2TS65,RGW SERIES,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGS50TSX2D,RGTH,RGTV,RGC80TSX8R,RGW60TK65D,RGW00TK65D,RGS SERIES,RGS30TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,MG7102WZ,MH2207WZ,RGW60TS65EHR,RGT40NS65D,MG7209WZ,RGW80TS65CHR,SH2102WN,RGTH80TS65D,RGCL,RGS60TS65HR,RGWX5TS65EHR,MG7405WZ,MG7212WZ,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGPR20NL43HR,RGW00TS65HR,RGT50TS65D,MG6402WZ,RGW80TS65HR,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,MH2104WZ,MG7109WZ,RGW80TK65E,RGW80TK65D,MH2201WZ,RGPR30NS40HR,MG6304WZ,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGCL60TK60,SH2103WN,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGT8BM65D,RGTH00TS65D,RGTV SERIES,RGTV60TS65,RGTV00TK65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGT8NL65D,RGTH00TK65,MG7902WZ,RGTV60TK65,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,MG6401WZ,RGT SERIES,RGT20NS65D,RGS50TSX2HR,MH2103WZ,RGWS60TS65,RGWSX2TS65,RGW00TS65EHR,SG6612WN,RGTH40TK65D,RGW60TS65CHR,MG6303WZ,MH2209WZ,MG7108WZ,RGT50NL65D,MH2102WZ,RGW80TS65EHR,RGWS00TS65,MG7210WZ,RGW40TS65D,RGCL60TS60D,SH2104WN,RGTV80TS65D,RGTH60TS65,RGTH50TK65D,RGWS,RGPR30BM56HR,RGTH00TS65
ROHM(罗姆)IGBT选型指南(英文)
描述- ROHM's IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) contribute to higher efficiency and energy savings for a wide range of high voltage and high current applications.ROHM's IGBTs contribute to greater efficiency and energy savings in a variety of high-voltage, large-current applications, including electric vehicles (EVs), trains, air conditioners, portable welding machines, DC/AC inverters.
型号- RGSX5TS65HR,RGW50TS65,RGS30TSX2DHR,RGW50TK65,RGTH40TS65,RGW40TK65,RGWX5TS65HR,RGS60TS65DHR,RGW40TS65,RGW00TS65DHR,RGSX5TS65DHR,RGS30TSX2D,RGTH50TS65,RGT20TM65D,RGTH60TS65D,RGW80TS65DHR,RGT8NS65D,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGTH40TK65,RGTH00TK65D,RGT40TS65D,RGT30NS65D,RGW80TS65,RGTVX2TS65,RGW80TK65,RGT50TM65D,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGT50NS65D,RGS50TSX2D,RGC80TSX8R,RGW60TK65D,RGW00TK65D,RGS30TSX2HR,RGS80TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,RGTH80TS65,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGS00TS65DHR,RGPR20BM36HR,RGW60TS65EHR,RGW00TS65D,RGT40NS65D,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGW80TS65CHR,RGTH80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,RGTHD40TS65HR,RGWX5TS65EHR,RGS60TS65HR,RGTH80TK65D,RGS80TS65HR,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGTH50TS65D,RGPR20NL43HR,RGW60TS65HR,RGW00TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGT50TS65D,RGW00TS65,RGW80TS65HR,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,RGTVX6TS65,RGW80TK65E,RGW80TK65D,RGT30TM65D,RGW80TS65D,RGPR30NS40HR,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGWX5TS65D,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGPR10BM40FH,RGCL60TK60,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGT8BM65D,RGWX5TS65DHR,RGTH00TS65D,RGT20NL65,RGTV60TS65,RGTV00TK65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGCL60TK60D,RGT8NL65D,RGTH00TK65,RGTV60TK65,RGPR30BM40HR,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,RGT20NS65D,RGS50TSX2HR,RGTVX6TS65D,RGW00TS65EHR,RGTH40TS65D,RGT00TS65D,RGS80TSX2D,RGTH40TK65D,RGSX5TS65EHR,RGPR20NS43HR,RGW60TS65CHR,RGW40TK65D,RGT50NL65D,RGW00TK65,RGW80TS65EHR,RGW40TS65D,RGCL60TS60D,RGS00TS65HR,RGTV80TS65D,RGW60TS65,RGTH60TS65,RGTH50TK65D,RGT16BM65D,RGT16TM65D,RGPR30BM56HR,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGTH00TS65
ROHM IGBT products
型号- RGTVX2TR65,RGTVX2TS65,RGTV00TR65D,RGTV00TK65,RGTV60TS65,RGTVX2TR65D,RGTV00TR65,RGTV00TS65,RGW SERIES,RGTV60TK65D,RGTV60TK65,RGTV60TS65D,RGTH,RGC SERIES,RGTV,RGS SERIES,RGTVX6TR65,RGP SERIES,RGTVX6TS65,RGT SERIES,RGTVX6TS65D,RGTVX2TS65D,RGTH60TS65D,RGTV80TK65,RGTV80TS65D,RGWS,RGTV00TK65D,RGCL,RGTVX6TR65D,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGTV80TK65D
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) What is a Thermal Model? Application Note
型号- T3STER,RGTVX6TS65D
【经验】如何计算IGBT在一定温度下的最大连续工作电流?
IGBT的连续工作电流是选型时最先关注的参数,一般规格书会直接给出额定的电流参数,但由于不同封装、不同条件下,实际的连续工作电流参数就需要重新来计算评估,本文将结合ROHM的IGBT管RGT30NL65D,讨论下如何计算IGBT在一定温度下的最大连续工作电流。
设计经验 发布时间 : 2020-05-31
【产品】650V、8/16A的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),短路耐受时间为5μs
罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件的等应用的主要供应商之一,其采用沟槽栅、薄晶圆技术研发出了一种低饱和压降、低开关损耗的RGT8BM65D, RGT16BM65D系列绝缘栅双极型晶体管(IGBT),为高电压、大电流应用提供了高效化和节能化解决方案。另外,晶体管具有低集电极-发射极饱和电压、低开关损耗的特点,同时内置了具有软恢复功能的快速恢复二极管。
新产品 发布时间 : 2018-12-19
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论