【选型】国产碳化硅肖特基二极管G3S12030B可PIN-PIN替换C4D30120D,抗浪涌能力更强、交期更短
碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。该材料是属于第三代宽禁带半导体材料,材料本身的性能就优于硅材料。该类二极管由于反向恢复时间短,可提高系统效率,因此市面上的应用非常广泛,比如续流回路,市面上主流的型号有WOLFSPEED公司的C4D30120D,不过因供货交期和价格压力等因素,很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案,本文重点推荐泰科天润(GPT)的碳化硅肖特基二极管 G3S12030B,该产品不仅可pin-pin替代C4D30120D,而且性能更优,其典型参数对比如下表所示。
从上表可知泰科天润(GPT)的碳化硅肖特基二极管 G3S12030B与WOLFSPEED公司的C4D30120D相比:
1、G3S12030B的正向重复峰值电流为75A,正向不重复电流为150A,抗浪涌能力更强;
2、G3S12030B的耗散功率为358W,系统发热更小;
3、封装都为TO-247-3L,管脚定义一致,可以进行PIN-PIN替换;
4、国产MOS,价格更有优势,供货和交期更有保证。
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【选型】国产碳化硅肖特基二极管WS3A010120A可PIN-PIN替换C4D10120A,抗浪涌能力更强
续流回路,市面上主流的型号有WOLFSPEED公司的C4D10120A,不过因国产化需求和价格压力等因素,很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案,本文重点推荐中电国基南方(CETC)的碳化硅肖特基二极管WS3A010120A,该产品可pin-pin替代C4D10120D,而且有更好的抗浪涌能力。
【选型】泰科天润(GPT) SiC碳化硅肖特基二极管选型指南
目录- SiC碳化硅肖特基二极管
型号- G4S06520BT,G5S6506Z,G5S12016B,G4S06508HT,G3S06510C,G3S06510D,G3S06510A,G4S12020D,G3S06510B,G5S12015P,G3S17050PM,G3S12003R,G4S06506CT,G5S06508AT,G5S12015A,G5S12015D,G4S6508Z,G3S12003A,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S12003H,G5S12020PM,G3S06520L,G5S06510PT,G3S06520H,G5S12002R,G3S06550PM,G3S12002R,G3S06520P,G5S12015PM,G4S06508JT,G5S6504Z,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06520B,G3S12002D,G5S06508PT,G3S06520A,G5S12030PP,G3S12002H,G5S12016BM,G3S06540PP,G3S12010BM,G4S06516BT,G5S12005A,G4S06530BT,G5S12005C,G4S06503AT,G5S12005D,G5S06508QT,G5S12005H,G4S06510HT,G3S06530L,G6S12040BT,G4S06515AT,G5S12020BM,G3S06530P,G3S06502A,G1S33005P,G4S06510AT,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,G3S06502D,G3S06502C,G5S12010PM,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S06502CT,GAS06520A,G4S06515LT,G3S12010H,GAS06520H,G4H06510HT,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G5S12010M,G3S17020B,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,GAS06520L,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S12002C,G5S12002A,G4S06506RT,G3S12010A,G5S12002D,G3S12010B,G3S12010C,G4S12010LM,G3S12010D,G5S12002H,G3S06512B,G5S12010BM,G4S06510DT,G5S06502AT,G3S06510M,G3S06510K,G3S06510L,G3S06510J,G3S12020L,G4S12040BM,G3S06510H,G5S12030PPM,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06510R,G3S06510P,G3S12020U,G3S06506D,G53YT,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G5S12050PM,G3S06506J,G3S12020A,G5S12020A,G3S06506H,G3S12020B,G1S33001P,G5S12020D,G3S06505R,G3S06520PM,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G3S06505A,G5S06504CT,G1S3300.6P,G5S06510HT,G4S06508QT,G3S06505H,G3S06504R,G3S06560B,GAS06540B,G5S12040BM,G52YT,G4S12010PM,G3S06504C,G3S06504A,G3S06516B,G5S06508HT,G1S33003P,G5S06520BT,G3S06504J,G5S12010C,G5S12010D,G3S06504H,G5S12010A,G4S06508RT,G3S06504D,G3S06503R,G3S065100P,G4S06508AT,G5S06506CT,G51XT,G5S06505AT,G3S06503A,G1S33002P,G6S12020PT,G3S12040PP,G5S12008PM,G4H06510AT,G3S06503H,G5S06504QT,G3S06503C,G3S06503D,G5S12020H,G4S06510PT,G5S12040PPM,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06502R,G5S12008D,G4S06506HT,G5S12008C,G5S12008H,G4S06515CT,G5S06510CT,G5S12008M,G3S06530A,G5S12008P,G3S12040B,G5S12040B,G4S06540PT,G5S12030BM,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,G4S06515DT,G5S06510DT,G4S06503CT,G5S06520AT,G4S06510JT,G3S17005C,G3S17005A,G3S06508R,G4S12020BM,G5S12050P,G3S12050P,G5S06510AT,G3S06508D,G3S06508C,G3S06508A,G3S06540B,G5S12030B,G3S06508J,G3S06508H,G5S06510QT,G3S12005P,G3S12005R,G5S06508CT,G4S12020PM,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G5S12040PP,G5S06506QT,G3S06506U,G3S06506R,G3S06530PM,G3S06550P,G5S06508DT
泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型,覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等,覆盖常规功率段,晶圆尺寸:4寸/6寸,VRRM(V):650V-3300V。
产品型号
|
品类
|
晶圆尺寸
|
Package
|
Config.
|
VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
|
IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
|
G51XT
|
碳化硅肖特基功率二极管
|
4寸
|
SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
GPT050M0120DPM1 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了GPT050M0120DPM1型号的碳化硅肖特基二极管模块,包括其产品特性、参数、电特性、典型特性曲线、封装尺寸和说明。该模块适用于焊接和等离子切割机、直流斩波器、开关电源(SMPS)以及不间断电源等领域。
型号- GPT050M0120DPM1
G3S06004J 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了型号为G3S06004J的碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特点,适用于高温和高频工作环境。其产品优点包括单极性器件、极大降低开关损耗、并联使用无热崩溃以及降低散热片的要求。
型号- G3S06004J,G3S06004JDDDDD
G5S06520DT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了泰科天润半导体科技(北京)有限公司生产的G5S06520DT碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。
型号- G5S06520DT
G5S12005C 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了G5S12005C碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该器件具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,适用于高温和高频工作环境。其主要优点包括单极性设计,极大降低开关损耗,并联使用无热崩溃,并降低散热片要求。
型号- G5S12005C
G5S12005A 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了G5S12005A碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该器件具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,适用于高温和高频工作环境。其主要优点包括单极性设计,极大降低开关损耗,并联使用无热崩溃,并降低散热片要求。
型号- G5S12005A
G4S06506RT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了G4S06506RT型号的碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,适用于高温和高频工作环境,主要应用于开关电源、电动汽车、电机驱动器、光伏和风力发电等领域。
型号- G4S06506RT
G3S06510A 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了G3S06510A碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,适用于高温和高频工作环境。其主要优点包括单极性设计,极大降低开关损耗,并支持并联使用而不会发生热崩溃。
型号- G3S06510A
G51XT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了G51XT型号碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,适用于高温和高频工作环境。其主要优点包括单极性设计,极大降低开关损耗,并支持并联使用而不会发生热崩溃。
型号- G51XT
G3S06520W 碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了泰科天润半导体科技(北京)有限公司生产的G3S06520W碳化硅肖特基二极管。该产品具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,适用于高温和高频工作环境。产品适用于开关电源、电动汽车、电机驱动器、光伏和风力发电等领域。
型号- G3S06520W
G3S06506R 碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了泰科天润半导体科技(北京)有限公司生产的G3S06506R碳化硅肖特基二极管。该产品具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,适合高温和高频工作环境。其主要优点包括单极性、降低开关损耗、并联使用无热崩溃等。应用领域涵盖开关电源、电动汽车、电机驱动器、光伏和风力发电等。
型号- G3S06506R
G3S06510R 碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了泰科天润半导体科技(北京)有限公司生产的G3S06510R碳化硅肖特基二极管。该产品具有零反向恢复电流、零正向恢复电压等特性,适用于开关电源、电动汽车、电机驱动器等领域。
型号- G3S06510R
G22YT 碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了G22YT碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,适合高温和高频工作环境。其主要优点包括单极性、降低开关损耗、无热崩溃和降低散热片要求。应用领域涵盖开关电源、电动汽车、电机驱动器、光伏和风力发电等。
型号- G22YT
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最小起订量: 3000 提交需求>
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