【应用】国产SiC MOS助力氢能源发电机，工作结温范围-55~ 175°C，导通电阻低至17mΩ

时间： 2022-03-24 来源：世强

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氢能发电机特指以氢气为原料的发电机，原理类似传统内燃机，经过吸气、压缩、爆炸、排气过程，带动电机产生电流输出。氢能发电机是一种环保型的发电设备，具有无噪音、零排放和移动性强的特点。其效率要求也非常高，但传统的功率MOS已经很难满足发电机高开关频率的要求，而SiC MOS则可以很好的满足这一应用。

某客户现需要一款漏源电压1200V，电流80A以上的SiC MOS。推荐使用瞻芯电子推出的IV1Q12017T4G，该产品耐压可达1200V，在T_c=100℃时，最大ID可达80A，完全满足客户需求。且导通电阻低至17mΩ，可以确保IV1Q12017T4G在高频工作时，导通损耗很低，可以降低MOS的发热量。IV1Q12017T4G的工作结温范围在-55~ 175°C，可以在很恶劣的条件环境下稳定运行。且瞻芯电子为国产品牌，性价比相比进口品牌更有优势。

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【应用】瞻芯电子SIC场效应管IV1Q06040T4用于充电桩，导通电阻40mΩ，最大耗散功率385W可有效降低发热

有客户在设计一款直流充电桩时，DCDC采用了BUCK-BOOST的拓扑结构来做升降压，需要用到650V，40mΩ的MOS管，本文给客户推荐了一款瞻芯电子的SIC场效应管IV1Q06040T4，采用TO247-3封装，非常适用于电动汽车充电装置应用场合。

2022-11-19 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】国产SIC MOS用于5KW逆变器，具有高达72A的过流能力，导通内阻低至40mΩ

由于SIC MOS技术的愈发成熟，国内许多大功率产品都在逐渐从传统高压大电流SI MOS转向采用SIC MOS，本文将国产瞻芯电子IV1Q06040T4 SIC MOS应用于5KW逆变器中，低至40mΩ的导通内阻以及高达72A过流能力。

2022-11-18 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】国产大电流高压SIC MOS IV1Q12017T4G助力UPS电源高效化，导通电阻仅17mΩ

以15KW-20KW功率的UPS电源为例，开关频率要求在100KHz以上，同时母线最高电压可达450-600V，原边功率管Q1和Q2上的电流最大在40A-50A左右，本文推荐瞻芯电子大电流高压SIC MOS IV1Q12017T4G。

2022-02-11 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子SiC MOSFET选型表

瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。

产品型号	品类	Qualification	VDS（V）	RDS(ON) （mΩ）	ID（TC=25°C）（A）	VTH（ TJ =25°C）（V）	VTH（ TJ =175°C）（V）	Qg（nC）	Operating Junction Temperature（°C）	Package
IV2Q06025T4Z	SiC MOSFET	汽车级	650V	25mΩ	99A	2.8V	2.0V	125.0nC	-55°C to 175°C	TO247-4

选型表 - 瞻芯电子立即选型

瞻芯电子1700V SiC MOS系列产品变更通知（20221123001）

瞻芯电子 - 碳化硅MOS,SIC MOS,IV1Q171R0D7G,IV1Q171S0BDG,IV1D12030V2,IV2Q171R0D7,IV1Q17,IV1Q171R0T3G,IV2Q17,IV2Q171R0T3,IV2Q171S0BD,IV2Q17 系列

2022.11.24 - 产品变更通知及停产信息代理服务技术支持采购服务

IV2Q12017BD – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片

该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV2Q12017BD型号的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - 芯片,SIC MOSFET 芯片,IV2Q12017BD,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,高压 DC/DC 变换器

2021 年 9 月 - 数据手册 - 版本 0.5 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV2Q12017BA – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片

该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片的技术规格和应用信息。芯片具备高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - 芯片,SIC MOSFET 芯片,IV2Q12017BA,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,高压 DC/DC 变换器

2021 年 9 月 - 数据手册 - 版本 0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12050T3,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,MOTOR DRIVERS

Sep. 2021 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12050T3型号的1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。该MOSFET具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12050T3,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2020 年 9 月 - 数据手册 - 版本 1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本文档介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号SiC MOSFET的特性、应用领域和封装尺寸。该器件具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,快速恢复体二极管,SIC MOSFET,IV1Q12050T3,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2022 年 7 月 - 数据手册 - 版本 1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12050T3型号的SiC MOSFET器件。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Jul. 2022 - 数据手册 - Rev1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本文档介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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2021 年 9 月 - 数据手册 - 版本 1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12050T3型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性及应用。内容包括产品的高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12050T3,UPS电源,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,高压 DC/DC变换器

2020年9月 - 数据手册 - 版本1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12050T3型号的1200V 50mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Sep. 2020 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性及应用。产品具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12080T3,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2021 年 8 月 - 数据手册 - 版本 1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12080T3,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,MOTOR DRIVERS

Aug. 2021 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本文档介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性及应用。该器件具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12080T3,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2020 年 3 月 - 数据手册 - 版本 1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Mar. 2020 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本文介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T3型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该MOSFET具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12080T3,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2020 年 3 月 - 数据手册 - 版本 0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T3型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Mar. 2020 - 数据手册 - Rev0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV1Q12080T3型号SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源。

July. 2022 - 数据手册 - Rev1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和封装尺寸。该MOSFET具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12080T3,高压DC/DC变换器,UPS电源,开关电源,电机驱动,光伏逆变器

2022年7月 - 数据手册 - 版本1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

瞻芯电子 - 1200V 80MΩ SIC MOSFET,1200V 80MΩSIC MOSFET,IV1Q12080T3,高压DC/DC变换器,UPS电源,开关电源,电机驱动,光伏逆变器

2020年3月 - 数据手册 - 版本0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050D7Z– 1200V 50mΩ 车规级 SiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050D7Z型号车规级SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。产品具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、车载充电器、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - 车规级 SIC MOSFET,IV1Q12050D7Z,开关电源,车载充电器,光伏逆变器,高压 DC/DC 变换器

2022 年 9 月 - 数据手册 - 版本 0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3Z–1200V 80mΩ汽车用SiC MOSFET

本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV1Q12080T3Z型1200V 80mΩ汽车级碳化硅MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力等特点，适用于车载充电器、汽车压缩机逆变器、汽车DC/DC转换器和太阳能逆变器等领域。

瞻芯电子 - AUTOMOTIVE SIC MOSFET,汽车级SIC MOSFET,IV1Q12080T3Z,汽车DC/DC,汽车压缩机逆变器,SOLAR INVERTERS,车载充电器,AUTOMOTIVE DC/DC,太阳能逆变器,AUTOMOTIVE COMPRESSOR INVERTERS,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,ON-BOARD CHARGERS

Jul. 2022 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q12050D7Z–1200V 50mΩ汽车用SiC MOSFET

本资料介绍了某款功率器件的特性、电气参数和应用领域。该器件具有低阻抗封装、高阻断电压、高速切换能力等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器和高压直流/直流转换器等领域。

瞻芯电子 - AUTOMOTIVE SIC MOSFET,汽车级SIC MOSFET,IV1Q12050D7Z,电动汽车电池充电器,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,EV BATTERY CHARGERS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关

Aug. 2023 - 数据手册 - Rev0.6 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050BD – 1200V 50mΩ SiC MOSFET 芯片

本文档介绍了InventChip公司的IV1Q12050BD型号的1200V 50mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和开关电源等领域。

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2021 年 8 月 - 数据手册 - 版本 1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q12050BD–1200V 50mΩSiC MOSFET芯片

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12050BD型号的1200V 50mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、高结温操作能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。

瞻芯电子 - 碳化硅MOSFET芯片,SIC MOSFET CHIP,IV1Q12050BD,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,MOTOR DRIVERS

Aug. 2021 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050BD – 1200V 50mΩ SiC MOSFET 芯片

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050BD型号的1200V 50mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和开关电源等领域。

瞻芯电子 - SIC MOSFET 芯片,IV1Q12050BD,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2021 年 2 月 - 数据手册 - 版本 1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050BD–1200V 50mΩSiC MOSFET芯片

本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV1Q12050BD型1200V 50mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。

Feb. 2021 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080BD – 1200V 80mΩ SiC MOSFET 芯片

本文档介绍了InventChip公司的IV1Q12080BD型号1200V 80mΩ SiC MOSFET芯片的技术规格和应用信息。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - SIC MOSFET 芯片,IV1Q12080BD,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2023 年 8 月 - 数据手册 - 版本 1.3 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q12080BD – 1200V 80mΩ SiC MOSFET 芯片

该资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080BD型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻的特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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2021 年 10 月 - 数据手册 - 版本 1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080BD–1200V 80mΩSiC MOSFET芯片

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080BD型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

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Oct. 2021 - 数据手册 - Rev1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080BD–1200V 80mΩSiC MOSFET芯片

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080BD型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、高结温工作能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

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Aug. 2023 - 数据手册 - Rev1.3 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080BD – 1200V 80mΩ SiC MOSFET 芯片

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080BD型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - 芯片,SIC MOSFET 芯片,IV1Q12080BD,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2021 年 8 月 - 数据手册 - 版本 1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080BD–1200V 80mΩSiC MOSFET芯片

本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV1Q12080BD型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。

Aug. 2021 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080BD – 1200V 80mΩ SiC MOSFET 芯片

瞻芯电子 - SIC MOSFET 芯片,IV1Q12080BD,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2021 年 4 月 - 数据手册 - 版本 1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080BD–1200V 80mΩSiC MOSFET芯片

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080BD型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换和高结温操作能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Apr. 2021 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12030T4G–1200V 30mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12030T4G型号的SiC MOSFET的特性、应用领域和封装尺寸。该器件具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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2022 年 11 月 - 数据手册 - 版本 1.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q12030T4G–1200V 30mΩSiC MOSFET

本文档介绍了InventChip公司的IV1Q12030T4G型号的SiC MOSFET的特性、应用领域和封装尺寸。该器件具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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2022 年 11 月 - 数据手册 - 版本 0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12030T4G–1200V 30mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12030T4G型1200V 30mΩ碳化硅（SiC）MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

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Nov. 2022 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务