碾压光耦!5.0kVRMS电压隔离+10kV浪涌保护的隔离器

2016-09-17 世强 honglei
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作为一名硬件研发设计者,您还停留在基于LED技术的光耦驱动隔离方案吗?为改善光耦副边信号输出(Vout)容易受到原边输入电流(If)、温度和LED光电二极管光衰影响,但又碍于光耦制造工艺无法从本质上得到改善,这里给大家介绍一款SILICON LABS推出的隔离式栅极驱动器Si8261替代传统的光耦隔离方案,无论从成本,还是产品可靠性上均更具优势,相信会成为未来主流的高性价比设计方案。


Si8261支持4种封装形式,SOIC-8(3.75kV电压隔离)、DIP8(3.75kV电压隔离)、SOIP6(5kV电压隔离)和LGA8(5kV电压隔离),以上封装类型与普遍使用的光电耦合驱动器的引脚兼容,因此无需改变现有设计或者PCB布线,即可轻松替换成隔离式栅极驱动器。如下图1为Si8261提供四种工业标准封装图示。


SI8261提供四种工业标准封装

图1:SI8261提供四种工业标准封装


Si8261也支持两种输出驱动电流,峰值电流为0.6A和4A,其中0.6A可实现低功耗输出,4A驱动选择则具有更高的噪声容差。Si8261主推型号替代光耦的方案请参考如下图表:



备注:Silicon Labs全系IGBT驱动器都是轨到轨输出,替换非轨到轨产品需要注意输出压差问题(1.5-2V)。

Si8261基于CMOS工艺的隔离器架构,具有更高的性能和可靠性,主要特点如下:
1)Si8261采用Silicon Labs专有的硅隔离技术,支持高达5.0kVRMS电压隔离(标准UL1577),同时可实现10kV浪涌保护(标准IEC60747),具备业界领先的隔离级别。
2)Si8261具有出色的共模抑制(CMTI),比光耦驱动器高约75%,非常适合高功率电机控制应用的解决方案。
3)Si8261采用调制的高频载波,替代LED模拟光电二极管输入。当输入电路模拟LED特性时,输入接通电流大约只有光电耦合驱动器的一半,有效地降低了驱动电流。
4)Si8261数据传输延时与输入的驱动电流无关,缩短了传输延迟时间,可提升反馈环路的响应时间,改善了脉宽失真和传播延迟。

在电机控制和电源逆变器应用中,Si8261非常适用于驱动功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT),支持高达30V的栅极驱动电压,峰值输出电流为0.6~4.0A,可为MOSFET和IGBT提供最佳的驱动强度,确保外部晶体管的快速开关效率达到最佳状态。Si8261提供四种封装Demo板及设计电路,可加速设计者的开发进程,请参考如下图2所示:




图2:Si826x提供各封装评估板

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