【产品】40V/100A的N沟道增强型场效应晶体管YJP110N04A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的N沟道增强型场效应晶体管YJP110N04A，采用TO-220封装。采用沟槽功率中压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于DC-DC转换、电源管理、工业和电机驱动应用等领域。
产品封装及等效电路图
产品特征
漏源电压最大额定值为40V
栅源电压最大额定值为±20V
漏极电流（TC= 25℃）可达110A
脉冲漏极电流最大额定值400A
单脉冲雪崩能量最大值为196mJ
总功率耗散最大值为125W（TC= 25℃）
静态漏源导通电阻不超过4mΩ（VGS=10V）
结温和存储温度范围均为-55~+175℃
结壳热阻最大额定值为1.2℃/W
通过100%▽VDS 测试
通过100%UIS 测试
沟槽功率中压MOSFET技术
低RDS(ON)的高密度单元设计
良好的散热包装
应用领域
DC-DC转换
电源管理
工业和电机驱动应用
订购信息
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本文由董慧翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-02-22学习 -
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夏拉 Lv7. 资深专家 2021-02-22学习 -
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dylen Lv7. 资深专家 2021-02-22学习
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