【经验】解析如何选择最适合的MOS管驱动电路
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。本文SLKOR主要解析如何选择最适合的MOS管驱动电路。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
2、MOS管导通特性
导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
3、MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
4、MOS管驱动
跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799MatchingMOSFETDriverstoMOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。
5、MOS管应用电路
MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动。
5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析
在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:
●开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
●开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
●关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。
●驱动电路结构简单可靠、损耗小。
●根据情况施加隔离。
图 1
MOS管和IGBT驱动电路是驱动电压还是电流呢?
MOS管与IDBT都是电压驱动元件。也就是栅极电压控制漏极或集电极电流。
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最大漏源电压60V的合科泰MOS管HKTD80N06,可承受80A连续漏极电流,适用于电机驱动和电源等
合科泰电子生产的一款MOS管HKTD80N06产品采用N沟道制作,它具有很好的电气性能,其能承受的最大漏源电压60V,栅源电压20V,连续漏极电流80A,漏源导通电阻0.0065欧姆,最小栅极阈值电压2V,最小栅极阈值电压4V,耗散功率100mW。它具有超低功耗、充分表征雪崩电压、模压塑料材料温度可靠等特点。高电流承载能力,能承受高达80A的连续漏极电流,使得它非常适合于需要高电流的应用场景。
产品 发布时间 : 2024-11-14
【选型】AiT(创瑞科技)电源管理IC/EEPROM存储芯片/分离器件/保险丝/晶振/电感选型指南
目录- 直流电源转换器 交直流转换控制器 复位IC 稳压器 LED驱动 OLED 驱动 闸驱动控制 马达驱动 开关与过滤控制 USB 充电端口控制器 霍尔开关 音频功放 运算放大器 电池管理 EEPROM存储芯片(记忆体) 触控IC MOS 管开关 电感 分离器件 可恢复式保险丝 晶振 车用电子(AEC-Q101)
型号- 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【产品】N沟道中压MOS管SL15N10A可承受高达100℃的工作温度,适用于高功率电路
SL15N10A是N沟道中压MOS管 ,漏源电压(Vdss)为100V,连续漏极电流(Id)为15A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)是130mΩ@20V,15A,阈值电压(Vgs(th)@Id)是20V@15A,具有高漏源电压和低导通电阻的特点,能够承受高达100℃的工作温度,可以广泛应用于各种开关电路、电源管理和电动机控制等领域。
产品 发布时间 : 2023-09-26
TMC科普课堂系列——MOS管的重要特性,及在开关电源电路中大功率MOS管和晶体三极管的优点
本文台懋解析了MOS管和晶体三极管相比的重要特性,以及在开关电源电路中,大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点。
技术探讨 发布时间 : 2024-11-06
【技术】一文解析MOS管的驱动
在进行驱动电路设计之前,必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。本文中时科将为大家解析MOS管的驱动。
技术探讨 发布时间 : 2022-08-30
【产品】导通电阻低至55mΩ的萨科微低压MOS管SL2305,漏源电压为20V,提高设备的工作效率
SL2305具有低导通电阻高效能,低阈值电压易于控制等性能,由于其优秀的性能指标,被广泛应用于各种电子设备中。SL2305更多用于功率开关、稳压器、DC-DC转换器、低压电源开关等领域。在功率开关领域,它可以用于控制高电流和高电压的开关,如用于电机驱动、电源开关、照明控制等。在稳压器领域,它可以用于实现高效率的稳压器,例如用于手机充电器、电脑电源等。
产品 发布时间 : 2023-09-26
深入了解MOS管的种类以及相关基础知识
本文由金誉半导体再带大家深入的了解一下MOS管的种类以及相关基础知识。
技术探讨 发布时间 : 2024-10-27
合科泰TO-220封装高压MOS管4N60,可用于开关电源和电机驱动器等应用上
高压MOS管的沟道区宽、漏极区大、栅极采用特殊工艺,这些特点使得它的管子能够承受高电压。高压MOS管可用于高压电路,具有高电压承受能力和低开关损耗,因此在高压电路中得到了广泛应用。本期,合科泰电子给大家介绍一款经典且常用的高压MOS管4N60,这个管子已经被广泛应用在开关电源、开关稳压器和电机驱动器等产品上。
产品 发布时间 : 2024-04-27
MOS管用途?——放大作用、开关作用、保护作用、信号调制作用、电源控制作用
MOS管在电子技术中具有广泛的应用,包括放大作用、开关作用、保护作用、信号调制作用、电源控制作用。
技术探讨 发布时间 : 2024-08-15
合科泰高可靠性NMOS管HKTD70N04,可用于电源管理和电机驱动等应用
作为一种重要的电子元件,MOS管在电子电路中扮演着关键角色,MOS管由源极、栅极、漏极组成,MOS管在开关电路中,通过栅极控制源极和漏极的通断,它具有高输入阻抗、使用灵活方便等特点,非常适合高度集成化的应用。本期,合科泰电子给大家介绍一款NMOS管,它在开关和稳压电路上具有非常多的应用。
应用方案 发布时间 : 2024-10-24
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
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