【产品】采用SOT-23表贴封装的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管RC2310A，漏-源电压60V

时间： 2023-05-27 来源：正芯

技术问答

正芯推出的RC2310A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专为最小化通态电阻而特别定制。这些器件特别适合低电压应用，如移动电话和笔记本电脑的电源管理以及其他电池供电电路。在这些应用中，需要在一个非常小的轮廓表面贴装封装中实现高边开关和低在线功率损耗。

特征

● RDS(ON)≦100mΩ@VGS=10V

● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=4.5V

● 为极低RDS(ON)进行了超高密度单元设计

● 具有出色的通态电阻和最大直流电流能力

● 能够进行铜线引线接合

应用

● 笔记本电脑电源管理

● 便携式设备

● 电池供电系统

● 负载开关

● DSC

特征

● 60V/3A，RDS(ON)=80mΩ(最大)@VGS=4.5V；RDS(ON)=140mΩ(最大)@VGS =2.5V。

● 为极低RDS(ON)进行了超高密度单元设计

● 可靠耐用。

● 采用SOT-23表面贴装封装

绝对极大额定值（TA=25℃，除另有说明外）

电气特性（Tj=25℃，除另有说明外）

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产品型号	品类	Polarity	V(BR)DSS(V)	Id(A)	Pd(W)	VGS(V)	IDM(A)	Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V	Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
RC2312	MOSFET	N	20V	7A	0.35W	±8.0V	20A	15mΩ	25mΩ

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