【产品】采用SOT-23表贴封装的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管RC2310A，漏-源电压60V

时间： 2023-05-27 来源：正芯

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正芯推出的RC2310A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专为最小化通态电阻而特别定制。这些器件特别适合低电压应用，如移动电话和笔记本电脑的电源管理以及其他电池供电电路。在这些应用中，需要在一个非常小的轮廓表面贴装封装中实现高边开关和低在线功率损耗。

特征

● RDS(ON)≦100mΩ@VGS=10V

● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=4.5V

● 为极低RDS(ON)进行了超高密度单元设计

● 具有出色的通态电阻和最大直流电流能力

● 能够进行铜线引线接合

应用

● 笔记本电脑电源管理

● 便携式设备

● 电池供电系统

● 负载开关

● DSC

特征

● 60V/3A，RDS(ON)=80mΩ(最大)@VGS=4.5V；RDS(ON)=140mΩ(最大)@VGS =2.5V。

● 为极低RDS(ON)进行了超高密度单元设计

● 可靠耐用。

● 采用SOT-23表面贴装封装

绝对极大额定值（TA=25℃，除另有说明外）

电气特性（Tj=25℃，除另有说明外）

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【产品】N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管AM4812，采用高单元密度制造，适用于低电压应用

AiT推出的AM4812是一颗N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度制造。先进的沟槽技术可提供卓越的RDS(ON)。AM4812采用高密度工艺是特别为最小化通态电阻而定制的。AM4812系列特别适用于低电压应用，低导通功率损耗更是小外形表面贴装封装产品所需求的。

2021-12-08 - 产品代理服务技术支持采购服务

正芯MOSFET选型表

正芯提供以下技术参数的MOSFET选型，包含：N沟道MOSFET、P沟道MOSFET、N+P沟道MOSFET。Vdss（耐受的最大电压）：-100V~650V，Id（能通过的电流）：-100A~165A，Pd（承受最大功率）：0.01W~195W，Rds（导通电阻）：0.65mΩ~1350mΩ等

产品型号	品类	Polarity	V(BR)DSS(V)	Id(A)	Pd(W)	VGS(V)	IDM(A)	Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V	Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
RC2312	MOSFET	N	20V	7A	0.35W	±8.0V	20A	15mΩ	25mΩ

选型表 - 正芯立即选型

HM3400KR N沟道30V（D-S）MOSFET

描述- 本资料介绍了N-Channel 30V (D-S) MOSFET，即HM3400KR，这是一种采用高密度DMOS沟槽技术的N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管。该产品具有低导通电阻、高密度设计、良好的电性能和可靠性，适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统等。

型号- HM3400KR

2024/5/24 - 虹美功率半导体 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

HM2302DR N沟道20V（D-S）MOSFET

描述- FMW1504S是一款N-Channel逻辑增强型功率芯片，采用高密度DMOS沟槽技术，具有超低RDS(ON)和优异的导通电阻及最大直流电流能力。该芯片适用于笔记本、便携式设备和电池供电系统等应用。

型号- HM2302DR

2024/6/11 - 虹美功率半导体 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

SL2308 60V N沟道增强型MOSFET

描述- 该资料介绍了SL2308型N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。SL2308采用高密度先进槽技术制造，适用于低电压应用，具有极低的导通电阻和优异的直流电流能力。其特点是超高性能设计以实现极低的RDS(ON)，并符合RoHS标准。资料还提供了绝对最大额定值、热数据、电气特性、典型特性和封装尺寸。

型号- SL2308

2021/11/3 - SLKOR - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】AiT推出N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管AM2342，高密度工艺专为最小化通态电阻定制

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2021-12-14 - 新产品代理服务技术支持采购服务

RZC0014T 100V N沟道MOSFET

描述- RZC0014T是一款N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度工艺制造，旨在降低导通电阻。适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和电池供电电路中的高边开关。

型号- RZC0014T,RZC0014TF

2018/10/12 - 瑞之辰 - 数据手册 - Version:1.0 代理服务技术支持采购服务

RZC0014D 100V N沟道MOSFET

描述- RZC0014D是一款N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度工艺制造，旨在降低导通电阻。该器件适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和电池供电电路中的高边开关。

型号- RZC0014D

2018/10/12 - 瑞之辰 - 数据手册 - Version:1.0 代理服务技术支持采购服务

SK15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET

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型号- SK15N10

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SL2314 20V N沟道增强型MOSFET

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型号- SL2314

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LPM3414 20V/3A N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料为LPM3414型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的数据手册。该器件采用高密度DMOS沟槽技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。适用于低压应用、笔记本电脑电源管理和电池供电电路中的高压侧开关。

型号- LPM3414□□□,LPM3414-01,LPM3414

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SK90N03 N沟道30V（D-S）MOSFET，ESD保护

描述- 该资料介绍了SK90N03型N通道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。它采用高密度DMOS沟槽技术制造，具有极低的导通电阻和优异的直流电流能力。适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备、负载开关等领域。

型号- SK90N03

2019/7/17 - 时科 - 数据手册 - REV.08 代理服务技术支持采购服务

NTD5802ns N沟道40V（D-S）MOSFET

描述- 该资料介绍了NTD5802NS型N通道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。它采用高密度DMOS沟槽技术制造，旨在最小化导通电阻。资料提供了产品的特性、绝对最大额定值、电学特性以及典型特性。

型号- NTD5802NS

2016/9/30 - 时科 - 数据手册 - REV.08 代理服务技术支持采购服务

RC2310A N沟道60V（D-S）MOSFET

描述- 该资料介绍了RC2310A型N-Channel 60V (D-S) MOSFET的特性。它采用高密度DMOS沟槽技术制造，具有极低的导通电阻，适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理以及其他电池供电电路。

型号- RC2310A

2022/8/8 - 正芯 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 RM2304E，采用高单元密度DMOS沟槽技术

丽正国际推出的RM2304E是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术。这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，特别适用于低电压应用，例如手机和笔记本电脑电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，表面贴装封装外形小，在线功率损耗较低。在环境温度为25°C时，RM2304E可以承受的漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±12V。

2019-11-03 - 新产品代理服务技术支持采购服务