【产品】开关速度快的车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DW7HR，符合RoHS标准
SCT4026DW7HR是罗姆（ROHM）推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准；在绝对最大额定值 (Tc=25℃)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流（VGS=VGS_on）为91A（PW≤10μs，占空比≤1%），等效结温为175℃，存储温度范围为-40℃~+175℃。
该器件具有低静态漏源导通电阻，在Tvj=25℃条件下，其RDS(on)（脉冲）典型值仅为26mΩ（VGS=18V, ID=29A）。该器件采用TO-263-7L封装，其产品外形如图1所示，内部电路如图2所示，包装规格如图3所示，封装尺寸如图4所示，可用于汽车、开关电源领域。
图1 产品外形
图2 内部电路
图3 包装规格
特点：
• 符合AEC-Q101
• 导通电阻低
• 开关速度快
• 反向恢复快
• 易于并联
• 驱动简单
• 无铅电镀，符合RoHS标准
应用：
• 汽车
• 开关电源
绝对最大额定值 (Tc=25℃)
注释：
*1 受限于最大Tvj 和Max. RthJC
*2 PW≤10μs，占空比≤1%
*3 仅适用于体二极管，重复脉冲，PW≤500ns，占空比≤5%
*4 用作保护功能时，PW≤10μs
*5 可接受的VGS波形示例
*6 请注意不要使用VGS低于10V的SiC-MOSFETs，否则可能会导致热失控
图4 封装尺寸（单位：mm）
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实验室地址： 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
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