【产品】开关速度快的车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DW7HR，符合RoHS标准

时间： 2022-06-28 来源：ROHM

代理服务

技术支持

批量订货

SCT4026DW7HR是罗姆（ROHM）推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准；在绝对最大额定值 (T_c=25℃)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流（V_GS=V_{GS_on}）为91A（PW≤10μs，占空比≤1%），等效结温为175℃，存储温度范围为-40℃~+175℃。

该器件具有低静态漏源导通电阻，在T_vj=25℃条件下，其R_DS(on)（脉冲）典型值仅为26mΩ（V_GS=18V, I_D=29A）。该器件采用TO-263-7L封装，其产品外形如图1所示，内部电路如图2所示，包装规格如图3所示，封装尺寸如图4所示，可用于汽车、开关电源领域。

图1 产品外形

图2 内部电路

图3 包装规格

特点：

• 符合AEC-Q101

• 导通电阻低

• 开关速度快

• 反向恢复快

• 易于并联

• 驱动简单

• 无铅电镀，符合RoHS标准

应用：

• 汽车

• 开关电源

绝对最大额定值 (T_c=25℃)

注释：

*1 受限于最大T_vj 和Max. R_thJC

*2 PW≤10μs，占空比≤1%

*3 仅适用于体二极管，重复脉冲，PW≤500ns，占空比≤5%

*4 用作保护功能时，PW≤10μs

*5 可接受的V_GS波形示例

*6 请注意不要使用V_GS低于10V的SiC-MOSFETs，否则可能会导致热失控

图4 封装尺寸（单位：mm）

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由零点翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】60V/200A N沟道增强型功率MOSFET RU6199R，可用于汽车，SMPS的高效同步等领域

RU6199R是锐骏半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，该产品可靠、坚固、无铅环保，可应用于汽车，SMPS的高效同步、高速电源等。

2022-04-08 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DEHR，漏源电压最大值为750V

SCT4026DEHR是罗姆推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET；无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准。在绝对最大额定值 (Tc=25°C)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流为91A（PW≤10μs，占空比≤1%）。

2022-06-21 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】罗姆汽车级N沟道SiC功率MOSFET SCT4026DRHR，符合AEC-Q101标准

罗姆（ROHM）推出的SCT4026DRHR是一款汽车级N沟道SiC功率MOSFET，具有导通电阻低、开关速度快、反向恢复快、易于并联、驱动简单等特点；在绝对最大额定值 (Tc=25℃)方面，其漏源电压为750V，耗散功率为176W。

2022-06-19 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用

P140LF4QNK、P105LF4QNK是ShinDengen推出的沟槽型功率MOSFET，体积小重量轻，符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准，最大漏-源电压均为40V，最大漏极直流电流分别为140A和105A，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。【世强硬创沙龙2019】

2018-12-30 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【应用】国产P沟道功率MOSFET管AO3401在开关电源的应用，满足严苛的环境要求

我们知道MOS管在电路中可以起到开关作用，还有放大、阻抗变换、振荡等等作用。在设计中，很多客户就是利用MOS管的低导通内阻特点作为开关的比较多。本文将介绍辰达行的P沟道功率MOSFET管AO3401是如何应用在开关电源的。

2022-03-26 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

使用德欧泰克的功率MOSFET DI100N10PQ-AQ的汽车辅助驱动

DIOTEC德欧泰克的DI100N10PQ-AQ是一款100V耐压的N沟道功率MOSFET，可提供高达80A的最大电流需求。其非常低的导通状态电阻典型值为4.5mOhm，有助于降低功率损耗，从而降低结温。该器件广泛应用于水泵、油泵或类似的各种汽车驱动中。

2024-08-28 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【产品】ROHM新推第四代碳化硅功率MOSFET器件SCT4062KR，漏源电压为1200V

ROHM推出了第四代碳化硅功率MOSFET器件SCT4062KR，与传统产品相比，导通电阻与开关损耗更低，且采用带有驱动源端子的4引脚TO-247-4L封装，可最大限度地发挥器件的高速开关性能特点。

2022-03-31 - 新产品代理服务技术支持批量订货

SCT3105KLHR汽车级N沟道SiC功率MOSFET数据表

描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT3105KLHR型汽车级氮化硅功率MOSFET的数据手册。该产品适用于汽车和开关电源等领域，具有低导通电阻、快速切换速度等特点。

型号- SCT3105KLHR

13.Nov.2022 - ROHM - 数据手册 - Rev.002 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

【产品】1200V/43A车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4036KEHR，耗散功率可达176W

罗姆推出的SCT4036KEHR是一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准。在绝对最大额定值方面，其漏源电压为1200V，脉冲漏极电流为84A，等效结温为175℃，存储温度范围为-40℃~+175℃。

2022-06-19 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】500V N沟道功率MOSFET，大功率开关电源的理想选择

日本新电元公司推出的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管——P10F50HP2/P13F50HP2/P15F50HP2/P20F50HP2，性能稳定可靠，是设计中大功率开关电源的理想选择。具有高电压、低导通电阻、高切换速度，高雪崩耐久性，高di/dt耐久性等优点。广泛使用于继电器驱动，高速脉冲放大器，驱动器等应用。

2018-05-04 - 新产品代理服务技术支持批量订货

SCT3080KLHR汽车级N沟道SiC功率MOSFET数据表

描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT3080KLHR型汽车级氮化硅功率MOSFET的数据手册。该产品适用于汽车和开关电源等领域，具有低导通电阻、快速切换速度、快速反向恢复等特点。

型号- SCT3080KLHR

13.Nov.2022 - ROHM - 数据手册 - Rev.003 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

【产品】导通电阻最低0.65Ω的N沟道功率MOSFET，大功率开关电源理想选择

Shindengen（新电元）的P1R5B40HP2/P4B40HP2/P6B40HP2/P9B40HP2的漏源电流分别为1.5A/4A/6A/9A，漏源二极管di/dt耐受能力高达350A/us

2017-12-18 - 新产品代理服务技术支持批量订货

Shindengen（新电元）汽车级功率MOSFET系列（低压）产品介绍

描述- Power MOSFET Series Low Voltage

型号- P16LD6SBK,P98LF6QNK,P45LD7R5SLK,P12FE7R5SBK,P30FE6SLK,P54LD6SLK,P180FP6SNK,P100FP12SNK,P46LF7R5SLK,P56FP12SNK,P88FP10SNK,P70FP12SNK,P76LD4SLK,P168FP7R5SNK,P40LF12SNK,P50LF10SNK,P20FE12SLK,P25LF12SLK,P105LF4QNK,P64LF6QNK,P140LF4QLK,P32LF10SNK,P175FP4SNK,P40LD6SLK,P23LD10SLK,P8FE10SBK,P72LF7R5SLK,P214FZ6QNKA,P14FE6SBK,P98LF6QLK,LF系列,P173FZ6QNKA,LD系列,P30FE4SLK,FE系列,P13LD7R5SBK,P33LD7R5SLK,P180FP4SNK,P46LF7R5SNK,P22FE4SBK,P211FZ4QNKA,P153FP6SNK,P70FP10SNK,P214FZ4QNKA,P30FE7R5SLK,P40LF12SLK,P50LF10SLK,P25LF12SNK,P126FP10SNK,P64LF6QLK,P140LF4QNK,P26FE10SLK,P58LD4SLK,P32LF10SLK,P9LD10SBK,P105LF4QLK,FP系列,P31LD10SLK,P25LD12SLK,P72LF7R5SNK,P25LD4SBK,P18LD12SLK

2017年10月 - SHINDENGEN - 商品及供应商介绍代理服务技术支持批量订货