【产品】采用TO-220封装的N沟道功率MOSFET BLM08N68，连续漏极电流90A
BLM08N68是上海贝岭推出的一款采用TO-220封装的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供优良的漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件有广泛的应用领域，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路，以及不间断电源。
产品外观和原理示意图
产品主要特点：
漏源电压VDS=68V，连续漏极电流ID=90A，漏源导通电阻RDS(ON) < 7.5mΩ （VGS=10V）
采用特殊的工艺技术，ESD耐受能力高
超低导通电阻的高密度单元设计
可充分界定雪崩电压和电流
具有较好的稳定性和均匀性，EAS高
良好的散热封装
100% UIS测试
100% DVDS测试
产品应用：
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值参数（TA=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
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