【经验】使用AP给RH850升级程序，需要单独控制FLMD0吗？
半导体计数的不断进步，MCU内部集成的逻辑功能越来越多，集成的功能也日益复杂，而消费者对于功能的需求也越来越多，那么为了应对软件远程(在线)功能升级(增加新的功能)和bug修复的需求、对bootLoader(启动加载程序)的需求越来越多。
嵌入式系统每次在复位之后，会先运行bootloader，检查是否有升级请求，如果没有，直接跳转至用户程序进行执行。如果有，则进入bootloader模式，建立与程序下载端之间的连接，而此连接不是通过程序编程口来进行，而是任何通讯口，除了通过通信口实现数据传输外，FLASH内部需要调用相应的flash driver来实现擦、写、校验等操作来实现程序更新。
而一般要进入bootloader编程模式，也是需要一些硬件相配合，比如要匹配时序，RESET引脚拉低再变高，使能引脚拉高等。
我们以瑞萨电子32bit 汽车级MCU RH850为例，其编程调试口电路，除了必备的时钟和数据口外，还有一个使能引脚FLMD0，其在正常运行时，需要保持低电平，而在仿真器连接以及bootloader升级时，则需要被拉高以使能flash可以被操作，参考连接如下：
图一 编程调试连接电路
那么，有人会有疑问了，通过编程器连接时候需要连接FLMD0这个使能脚，在bootloader时候，是否也需要外接处理器的一个IO来控制这个使能引脚吗？
首先，FLMD0在编程调试器件是需要拉高的，这个毋庸置疑，那么拉高有几种形式，使用外接处理器AP的IO来拉高也是一种方法，没有问题。
但是，RH850里，集成了FLMD0的控制寄存器，可以通过设置来实现FLMD0的内置上拉使能，从而达到使能flash编程，同时还节省外置的IO，具体参考如下：
图二 FLMD0使能设置
那么，还会有人问，不是FLMD0外置接了不小于95k的下拉电阻吗？内部上来可以保证上拉吗？请看下图特性：
图三 FLMD0内置上拉电阻特性
我们可以看出，内置上拉典型值为19k，属于强上拉，完全可以把此端口电平拉高，使能flash编程，节省外置IO上拉操作。
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