【产品】采用先进的单片硅技术的4线超低电容TVS二极管，I/O与I/O间结电容典型值为0.3pF
萨瑞微电子推出一款4线超低电容TVS二极管SEU3304PC，利用先进的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性，使该器件成为保护对电压敏感且用于高速数据传输的HDMI和USB端口的理想解决方案。
TA=25℃、RH=45%-75%时，器件峰值脉冲功率为50W（tp=8/20μs，波形）；峰值脉冲电流为5A（8/20μs）；在VR=0V, f=1MHz条件下，I/O pin脚间其结电容典型值低至0.3pF，最大值低至0.4pF，反向漏电流最大值低至0.5µA（VRWM=3.3V，任意I/O脚与GND之间），产品可提供±15kV空气放电和±8kV接触放电的ESD防护等级，工作温度范围为-55℃至125℃，存储温度范围宽至-55℃至150℃，器件采用DFN2510-10 (2.5×1.0×0.5mm）外壳封装。其引脚配置如下图所示：
产品特点
超低电容（I/O与I/O间典型值为0.3pF）
3.0GHz时无插入损耗
工作电压：3.3V
低钳位电压
提供高达4条线路的保护能力
符合RoHS标准
机械特性
封装：DFN2510-10 (2.5×1.0×0.5mm)
引脚处理：雾锡
外壳材料：绿色环保塑封
可燃性分类等级UL 94V-0
湿度敏感度：3级（J-STD-020标准）
产品应用
HDMI、USB和MDDI端口
机顶盒和数字电视
视频图形卡
数字视频接口（DVI）
PCI Express和串行SATA端口
绝对最大额定参数（TA=25℃，RH= 45%-75%，除非另有说明）
电气特性（TA=25℃）
产品标记和订购信息
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萨瑞微电子ESD保护器件选型表
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|
产品型号
|
品类
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极性
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Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
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Junction Capacitance Cj(pF)
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Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
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Min Breakdown Voltage VBR(V)
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Max Breakdown Voltage(V)
|
Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
|
Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
|
Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
|
Max Peak Pulse Power PPP(W)
|
Marking
|
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SEL0201P0
|
ESD Diode
|
双向
|
2.5
|
20
|
8
|
3.1
|
4.5
|
0.2
|
4.2
|
7
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55
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C02
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
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