【产品】捷捷微电100V N沟道JSFET具有行业领先的低导通阻抗及电气特性,解决电感负载和软开关等难题
捷捷微电JSFET®技术平台的100V SGT MOSFETs,具有行业领先的低导通阻抗及电气特性。捷捷微电会持续结合自有的先进芯片设计与封装技术,不断提高产品效能,志在国际一流,从而满足日益增长的市场应用需求。
导通阻抗RDS(ON)低至1.8mΩ,FOM低至185,所有产品均百分百通过UIS测试。凭借低COSS(291pF)及Qg(21nC),这些元器件能更有效地解决在终端应用中存在的电感负载和软开关等难题。
图 1
此系列MOSFETs采用PDFN5x6及TO220/251/252/263封装,优化的框架和引接工艺有效改善热应力,提升质量和可靠性,同时符合RoHS标准且不含卤素。
因为具备卓越的安全操作区域(SOA),这些元器件能充分满足各种终端在不同应用上的要求。包括在新能源电动车、电动工具、有线快充、BMS、太阳能电源、PoE网络设备里的BLDC电机驱动、同步整流、负载平衡、H-桥等。
应用领域
●电机驱动- 电动工具、工业设备、电动自行车、HEV / BEV / FCEV里的泵及制动器
●电源管理、OR-ing - 电信及数据中心电源
●电源开关- 家用及工业汽车电池管理系统(BMS)
●微逆变- 太阳能电源
●LED背光驱动- FPTV
●次级同步整流- AC/DC电源转换
产品型号
表 1
封装信息
图 3
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捷捷微电MOS选型表
捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型,VDS_Max:-100V~1000V,VGS(th)_Typ:-2V~3.5V等
产品型号
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品类
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Confi-guration
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VDS_Max(V)
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ID_Max(A)
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VGS(th)_Typ(V)
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RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
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RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
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VGS_Max(V)
|
EAS_Max(mJ)
|
Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
|
MPQ
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MOQ
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封装
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JMSL040SAGQ
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MOS
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N
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40V
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387A
|
1.5V
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0.58mΩ
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0.75mΩ
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0.8mΩ
|
0.99mΩ
|
±20V
|
506mJ
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7654pF
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3738pF
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44pF
|
114nC
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3000
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30000
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PDFN5x6-8L
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选型表 - 捷捷微电 立即选型
AKG40N013G 40V 1.3mOhm N沟道SGT MOSFET
描述- 本资料介绍了AKG40N013G型N通道SGT MOSFET的特性。该器件专为高效率电源管理应用设计,具有超低导通电阻和优异的开关性能。主要内容包括产品特性、最大额定值、电气特性、热特性、测试电路波形、封装尺寸和标记信息。
型号- AKG40N013G
JMSH0606PG 60V,114A,4.5mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 本资料详细介绍了JMSH0606PG型号的60V、114A、4.5mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数、应用领域等。该产品具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- JMSH0606PG,JMSH0606PG-13
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型号- AKG40N025G
AKG40N025G 40V 2.5mOhm N沟道SGT MOSFET
描述- 本资料介绍了AKG40N025G这款N通道SGT MOSFET的特性。该器件设计用于低导通电阻和高效率电源管理应用,具有优异的开关性能。
型号- AKG40N025G
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描述- 该资料详细介绍了JMSL0402TG型号的40V, 163A, 2.9mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数和应用领域。资料涵盖了产品的电气特性、热特性、开关特性、典型性能曲线以及封装机械数据。
型号- JMSL0402TG,JMSL0402TG-13
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型号- JMSL04055UQ-13,JMSL04055UQ
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型号- JMSH0406PGQ-13,JMSH0406PGQ
JMSH1509PG 150V,88A,9.1mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH1509PG型号的150V、88A、9.1mΩ N-channel Power SGT MOSFET。该产品具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- JMSH1509PG-13,JMSH1509PG
JMSH0401PTSQ 40V,381A,0.9mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 该资料详细介绍了JMSH0401PTSQ型号的40V、381A、0.9mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和ΔVds测试等特点,适用于负载开关、PWM应用和通用汽车应用等领域。
型号- JMSH0401PTSQ,JMSH0401PTSQ-13
JMSL060SPGQ 60V,283A,1.4mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 该资料详细介绍了JMSL060SPGQ型号的60V、283A、1.4mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数和应用领域。产品具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和ΔVds测试等特点,适用于负载开关、PWM应用和通用汽车应用等。
型号- JMSL060SPGQ-13,JMSL060SPGQ
JMSH040SPGQ 40V,342A,0.7mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 本资料详细介绍了JMSH040SPGQ型号的40V, 342A, 0.7mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性,包括其参数、电气特性、热特性、典型性能曲线、封装机械数据等。该产品具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和ΔVds测试等特点,适用于负载开关、PWM应用和通用汽车应用等领域。
型号- JMSH040SPGQ,JMSH040SPGQ-13
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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
可支持TI AM335x/AM5718 和NXP iMX6/iMX8芯片定制核心板和计算单板;支持NXP iMX6核心模组X / F / H系列、TI AM335x核心模组X / N / H系列,与兼容的底板组合定制单板计算机。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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