【产品】捷捷微电100V N沟道JSFET具有行业领先的低导通阻抗及电气特性，解决电感负载和软开关等难题
捷捷微电JSFET®技术平台的100V SGT MOSFETs，具有行业领先的低导通阻抗及电气特性。捷捷微电会持续结合自有的先进芯片设计与封装技术，不断提高产品效能，志在国际一流，从而满足日益增长的市场应用需求。
导通阻抗RDS(ON)低至1.8mΩ，FOM低至185，所有产品均百分百通过UIS测试。凭借低COSS(291pF)及Qg(21nC)，这些元器件能更有效地解决在终端应用中存在的电感负载和软开关等难题。
图 1
此系列MOSFETs采用PDFN5x6及TO220/251/252/263封装，优化的框架和引接工艺有效改善热应力，提升质量和可靠性，同时符合RoHS标准且不含卤素。
因为具备卓越的安全操作区域(SOA)，这些元器件能充分满足各种终端在不同应用上的要求。包括在新能源电动车、电动工具、有线快充、BMS、太阳能电源、PoE网络设备里的BLDC电机驱动、同步整流、负载平衡、H-桥等。
应用领域
●电机驱动- 电动工具、工业设备、电动自行车、HEV / BEV / FCEV里的泵及制动器
●电源管理、OR-ing - 电信及数据中心电源
●电源开关- 家用及工业汽车电池管理系统(BMS)
●微逆变- 太阳能电源
●LED背光驱动- FPTV
●次级同步整流- AC/DC电源转换
产品型号
表 1
封装信息
图 3
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捷捷微电MOS选型表
捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型，VDS_Max：-100V~1000V，VGS(th)_Typ：-2V~3.5V等
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产品型号
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品类
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Confi-guration
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VDS_Max(V)
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ID_Max(A)
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VGS(th)_Typ(V)
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RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
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RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
|
VGS_Max(V)
|
EAS_Max(mJ)
|
Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
MPQ
|
MOQ
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封装
|
|
JMSL040SAGQ
|
MOS
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N
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40V
|
387A
|
1.5V
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0.58mΩ
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0.75mΩ
|
0.8mΩ
|
0.99mΩ
|
±20V
|
506mJ
|
7654pF
|
3738pF
|
44pF
|
114nC
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3000
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30000
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PDFN5x6-8L
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选型表 - 捷捷微电 立即选型
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