【应用】泰高氮化镓场效应晶体管用于快充充电器,可直接PWM驱动器,不需要外部VCC

2023-01-04 世强
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近几年来,便携性设备的快充技术的发展越来越快,从四年前的十几瓦的充电速度,到现如今的一百到两百瓦的充电设备已经数不胜数。能有如此快的快充技术与快充产品离不开半导体材料与新型电路拓扑结构的发展。

  

非对称半桥(AHB)反激拓扑,可实现更高的效率和更高的开关频率。由于漏感中的能量被吸收,在主功率管开启过程中不存在漏感尖峰,功率管的电压应力更小,输入电压范围更宽,EMI噪声更小。下图是泰高的360mΩ/650V氮化镓场效应晶体管TP44400SG在快充充电器的应用。

泰高的氮化镓场效应晶体管TP44400SG的应用优势如下:

1、可适应各种PWM控制器。

2、零反向恢复。

3、可调节启动电压转换速率。
4、高开关频率(>2MHz)。
5、简单的接口电路,电路成本低。
6、直接PWM驱动器,不需要外部VCC。

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

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提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

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