【应用】泰高氮化镓场效应晶体管用于快充充电器,可直接PWM驱动器,不需要外部VCC
近几年来,便携性设备的快充技术的发展越来越快,从四年前的十几瓦的充电速度,到现如今的一百到两百瓦的充电设备已经数不胜数。能有如此快的快充技术与快充产品离不开半导体材料与新型电路拓扑结构的发展。
非对称半桥(AHB)反激拓扑,可实现更高的效率和更高的开关频率。由于漏感中的能量被吸收,在主功率管开启过程中不存在漏感尖峰,功率管的电压应力更小,输入电压范围更宽,EMI噪声更小。下图是泰高的360mΩ/650V氮化镓场效应晶体管TP44400SG在快充充电器的应用。
泰高的氮化镓场效应晶体管TP44400SG的应用优势如下:
1、可适应各种PWM控制器。
2、零反向恢复。
3、可调节启动电压转换速率。
4、高开关频率(>2MHz)。
5、简单的接口电路,电路成本低。
6、直接PWM驱动器,不需要外部VCC。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由思宜提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
DeWALT得伟49.5W快充充电器采用沃尔德规格为4A 1000V的WRMSB40M整流桥
充电头网拿到了得伟一款快充充电器,输入端WRMSB40M整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司,规格为4A 1000V。WRMSB40M这颗软桥通过较软的恢复曲线,比较平滑的关断特性,可以降低二极管结电容达到非常少的谐波振荡产生的效果。
奥特AOTE的光耦AT1018和AT1019在快充充电器上的应用
随着充电器的不断更新,对于光耦的要求也更加严格,奥特也会持续关注,不断改进质量、功能和设计,对后续的发展做出更好的应对方案。奥特的光耦AT1018,AT1019主要在开关电源的作用是隔离、提供反馈开关作用。
钰泰准谐振反激电源芯片ETA8056及稳压芯片ETA8020被联想迷你20W快充充电器采用
联想旗下的thinkplus品牌推出了一款20W迷你充电器,充电头网通过拆解了解到,联想这款充电器内部采用两块PCB组合焊接,PCB之间采用塑料支架进行支撑绝缘。充电器内部采用钰泰半导体ETA8056电源芯片,并采用ETA8020为初级电源芯片供电。
SUPERIOR GaN HEMT TP44200SG -180mΩ,650V 氮化镓场效应晶体管
描述- 这份资料介绍了TP44200SG氮化镓场效应晶体管的功能、拓扑结构、应用领域和电气规范。该器件是一款650V,180mΩ的增强型场效应晶体管,适用于多种PWM控制器,具有零反向恢复、可调节启动电压转换速率等特点。它广泛应用于AD-DC、DC-DC、DC-AC转换、PFC应用、高频LLC转换器等领域。
型号- TP44200SG,TT210W
面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路应用简介
描述- 本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能,实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等,并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
型号- EPC2212,EPC2010C,EPC2059,EPC2034C,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC9047,EPC2033,EPC9062,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC9010C,EPC2007C,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90123,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90124,EPC9091,EPC9006C
【产品】 泰高新推出90mΩ/650V氮化镓场效应晶体管TP44100SG,接口电路简单且成本低
泰高推出的TP44100SG是一款90mΩ,650V的氮化镓场效应晶体管。它可以由一个标准的12V PWM控制器或者6V的内置氮化镓驱动的PWM控制器直接驱动。在这两种情况下都不需要外部VCC。
面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路
描述- 本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能,实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等,并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
型号- EPC2212,EPC2010C,EPC2059,EPC2034C,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC9047,EPC2033,EPC9062,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC9010C,EPC2007C,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90123,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90124,EPC9091,EPC9006C
泰高氮化镓电源芯片选型表
泰高氮化镓电源芯片,最大输出电压650V,最大输出电流15A
产品型号
|
品类
|
最大输出电压(V)
|
最大输出电流(A)
|
内阻(mΩ)
|
TP44100SG
|
氮化镓电源芯片
|
650V
|
15A
|
90mΩ
|
选型表 - 泰高 立即选型
SUPERIOR GaN HEMT TP44400SG -360mΩ,650V 氮化镓场效应晶体管
描述- 该资料介绍了TP44400SG氮化镓场效应晶体管的功能、拓扑结构、应用领域和电气规范。TP44400SG是一款650V,360mΩ的增强型场效应晶体管,适用于多种PWM控制器,具有零反向恢复、高开关频率等特点,广泛应用于AD-DC、DC-DC、DC-AC转换、PFC应用、高频LLC转换器等领域。
型号- TP44400SG,TT65W
卓越的氮化镓TP44400SG–360mΩ,650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 该资料介绍了TP44400SG是一款650V、360mΩ增强型功率GaN HEMT器件。它适用于各种PWM控制器,具有零反向恢复、可调开通斜率和高开关频率等特点。该器件可用于AC-DC、DC-DC、DC-AC转换器、PFC应用(标准型和Totem pole)、高频LLC转换器、移动充电器和笔记本电脑适配器、LED和电机驱动等领域。
型号- TP44400SG,TP44400SG-EVB
SUPERIOR GaN HEMT TP44100SG-90mΩ,650V氮化镓场效应晶体管
描述- 这款资料介绍了SUPERIOR GaN TP44100SG氮化镓场效应晶体管的功能、拓扑结构、应用领域以及电气规范。该器件具备650V耐压、90mΩ导通电阻,适用于多种PWM控制器,支持零反向恢复和高开关频率,广泛应用于AD-DC、DC-DC、DC-AC转换、PFC、高频LLC转换器等领域。
型号- TP44100SG,TT240W
【产品】 泰高新推360mΩ/650V无卤氮化镓场效应晶体管TP44400SG,可调节启动电压转换速率
泰高推出TP44400SG是一款360mΩ,650V氮化镓场效应晶体管。可以由一个标准的12V PWM控制器或者6V的内置氮化镓驱动的PWM控制器直接驱动。在这两种情况下都不需要外部VCC。
【产品】180mΩ/650V氮化镓场效应晶体管TP44200SG,可直接PWM驱动器,不需要外部VCC
泰高TP44200SG是一款180mΩ,650V的氮化镓场效应晶体管。它可以由一个标准的12V PWM控制器或者6V的内置氮化镓驱动的PWM控制器直接驱动。在这两种情况下都不需要外部VCC。
GaN的充电器,目前最大功率能做到多少W?
世强代理的英诺赛科的最大为100W,100W的单C快充设计中快充主要是用于反激拓扑电路,主要是控制主回路的开关实现变压器的能量转换。INN650D01是英诺赛科650V/130mΩ/16.5A(Tc=25℃)的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。采用该氮化镓场效应晶体管搭配电源IC,相对于普通的电源IC搭配Si MOSFET技术,当频率翻倍至120Khz的情况下可实现高效95.4%的体积减小一半以上的100W单C快充设计。具体方案见世强网站:https://www.sekorm.com/news/89134470.html
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论