8M低功耗CMOS SRAM，存取时间仅55ns！

时间： 2016-09-22 来源：Alliance（世强翻译）

技术问答

待机电流仅1.5 µA，特别适用于低功耗的便携式电子产品

全球工业SRAM第一供应商ALLIANCE Memory最近新推出的一款8M（512K ×16bit）低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）——AS6C8016-55TIN。该芯片采用高性能、高可靠性CMOS技术，具有较强的电路抗干扰能力。AS6C8016-55TIN芯片以其高可靠性和低功率特性，广泛应用于低功耗的便携式电子产品及工业、电信、医疗、汽车和网络应用，而且它还特别适用于电池备份的非易失性存储器。

低功耗是这款静态随机存取存储器的重要特征，其工作电流典型值为30mA，而待机电流仅有1.5 µA，工作温度范围为-40°C至+85°C。AS6C8016-55TIN采用单电源供电方式，其工作电压为2.7V到3.6V，快速存取时间也非常短，仅为55 ns。

AS6C8016-55TIN采用TSOP-I封装方式，具有48个引脚，大小为12mm×20mm。它符合RoHS规范，并具有全静态操作和三态输出。最小数据保持电压仅为1.2V，所有输入和输出引脚都完全兼容TTL。

Alliance Memory开发的IC具有可靠的投递、引脚对引脚兼容等优点，可以替代某些类似的解决方案。AS6C8016-55TIN为Alliance Memory最新的全系列低功耗SRAM产品，具有多个版本，其中包括64K、256K、1M、2M，4M、8M、16M和32M。

图1：AS6C8016-55TIN实物图

AS6C8016-55TIN的产品特点：
• 全静态操作
• 55ns的超短读取时间
• 功率消耗低：工作电流：30mA，待机电流：1.5µA
• 三态输出
• 单电源供电：2.7V~3.6V
• 输入输出完全兼容TTL
• 符合RoHS标准

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全部评论（4）

Chase Lv7. 资深专家 2018-06-28

学习一下
LWR Lv4. 资深工程师 2017-11-25

棒棒滴
科研狂魔 Lv7. 资深专家 2017-11-20

学习学习！写的不错。
NASA911 Lv8. 研究员 2017-10-12

学习学习

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型号- U62256ADK10LLG1,U62256ADC07G1,U62256AS2K07LLG1,U62256AS2K07,U62256ADA10LLG1,U62256AS2A07LLG1,U62256AS2C10LLG1,U62256AS2K07LL,U62256AS2A07,U62256ADK10LL,U62256AS2A10G1,U62256AS2C07,U62256AS2C07LL,U62256ADK07,U62256ADK07G1,U62256ADA07,U62256ADC07,U62256AS2K10G1,U62256ADA10,U62256ADC10,U62256AS2C07LLG1,U62256AS2A07LL,U62256AS2C10G1,U62256ADA07G1,U62256AS2A10LLG1,U62256AS2C07G1,U62256ADC07LL,U62256ADK10,U62256ADK07LLG1,U62256ADC10LL,U62256ADK10G1,U62256ADA10G1,U62256AS2A10LL,U62256ADA07LLG1,U62256AS2K10LLG1,U62256AS2K07G1,U62256ADC10LLG1,U62256AS2A07G1,U62256ADC07LLG1,U62256AS2K10LL,U62256ADC10G1,U62256ADA10LL,U62256A,U62256AS2A10,U62256ADK07LL,U62256ADA07LL,U62256AS2C10,U62256AS2C10LL,U62256AS2K10

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