【产品】60V/4.6mΩ的N沟道功率MOSFET JMSL0606AKQ，符合AEC-Q101标准
JMSL0606AKQ是捷捷微电推出的一款60V 4.6mΩ的N沟道功率MOSFET，采用TO-252-3L封装，具有低漏源导通电阻、低栅极电荷、大电流等特性。JMSL0606AKQ的漏源电压额定值为60V，栅极开启阈值电压典型值1.7V（VDS=VGS，ID=250μA），连续漏极电流额定值93A（VGS=10V，Tc=25℃），静态漏源导通电阻的典型值为4.6mΩ（VGS=10V，ID=20A）、6.0mΩ（VGS=4.5V，ID=15A），结到环境的热阻值最大值为55℃/W，结到壳的热阻最大值为1.5℃/W。产品实物图和等效电路图如下。
产品特性
•超低RDS(ON)
•低栅极电荷
•大电流能力
•100% UIS测试，100% Rg测试
•符合AEC-Q101标准
•用于汽车应用的功率MOSFET
产品订购信息
绝对最大额定值（@TA=25℃，除非另外说明）
电气参数（@TJ=25℃，除非另外说明）
热阻
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捷捷微电MOS选型表
捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型，VDS_Max：-100V~1000V，VGS(th)_Typ：-2V~3.5V等
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产品型号
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品类
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Confi-guration
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VDS_Max(V)
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ID_Max(A)
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VGS(th)_Typ(V)
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RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
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RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
|
VGS_Max(V)
|
EAS_Max(mJ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
|
MPQ
|
MOQ
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封装
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JMSL040SAGQ
|
MOS
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N
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40V
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387A
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1.5V
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0.58mΩ
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0.75mΩ
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0.8mΩ
|
0.99mΩ
|
±20V
|
506mJ
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7654pF
|
3738pF
|
44pF
|
114nC
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3000
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30000
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PDFN5x6-8L
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选型表 - 捷捷微电 立即选型
JMSH0403AGQ 40V 2.7mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH0403AGQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有超低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、经过100% UIS和Rg测试，符合RoHS标准，适用于汽车应用。
型号- JMSH0403AGQ,JMSH0403AGQ-13
JMSH0406AGDQ 40V 5.2mΩ双通道N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了JMSH0406AGDQ型40V 5.2mΩ双N通道功率MOSFET的产品特性、参数、电气特性、热性能以及封装信息。产品具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和Rg测试、无铅镀层、无卤素和RoHS合规等特点，适用于汽车应用，并符合AEC-Q101标准。
型号- JMSH0406AGDQ,JMSH0406AGDQ-13
JMSH1001ATLQ 100V 1.3mΩ标准N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH1001ATLQ型100V 1.3mΩ TOLL N-Ch Power MOSFET的特性。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH1001ATLQ,JMSH1001ATLQ-13
JMSH040SAGQ 40V 0.56mΩN沟道功率MOSFET
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型号- JMSH040SAGQ-13,JMSH040SAGQ
JMSL0406AGDQ 40V 5.5mW双N沟道功率MOSFET
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型号- JMSL0406AGDQ,JMSL0406AGDQ-13
JMSL0612AUQ 60V 10.0mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL0612AUQ型号的60V 10.0mΩ N-Ch Power MOSFET。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、高绝缘强度等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSL0612AUQ-13,JMSL0612AUQ
JMSH0401AGQ 40V 1.3mΩN沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了JMSH0401AGQ型号的N沟道功率MOSFET的特性、参数和应用。产品具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH0401AGQ,JMSH0401AGQ-13
JMSH0406AGDQ 40V 5.2mW双N沟道功率MOSFET
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型号- JMSH0406AGDQ,JMSH0406AGDQ-13
JMSH0401BGQ 40V 0.90mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH0401BGQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH0401BGQ-13,JMSH0401BGQ
JMSH0402BGQ 40V 2.0mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH0402BGQ型号的40V N-Ch Power MOSFET。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH0402BGQ,JMSH0402BGQ-13
JMSL0612AKQ 60V 9.9mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL0612AKQ型号的60V N-Channel Power MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、100% UIS和Rg测试，适用于汽车应用并符合RoHS标准。
型号- JMSL0612AKQ-13,JMSL0612AKQ
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现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
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