【选型】可替换东微OSG65R099HZF的超级结功率MOSFET，应用于通信电源，反向恢复时间trr更低
随着5G通信的普及，通信电源在满足高效率、高功率密度以及高可靠性的同时，也趋向于低成本化，目前了解到通信电源上有用到国产东微半导体高压超级结MOS管OSG65R099HZF ，本文主要介绍国产紫光微的超级结功率MOSFET TPW65R100MFD可完美替换东微OSG65R099HZF，两者主要参数对比如表一：
表一：TPW65R100MFD与OSG65R099HZF主要参数对比表
从以上对比表可知：
1、 在VDS耐压方面， TPW65R100MFD和OSG65R099HZF的耐压均为650V，均满足市电输入220VAC电压在耐压方面的需求，并留有足够余量；
2、 在连续漏极工作电流Id方面，无论MOS壳温TC在25℃或100℃情况下，TPW65R100MFD的Id均比OSG65R099HZF的要大，故在通信电源相同功率下，TPW65R100MFD的电流余量更大，更可靠安全使用；
3、 在脉冲漏极电流Id(pluse)方面，TPW65R100MFD最大额定值为141A，比OSG65R099HZF的114A稍大，故TPW65R100MFD的抗浪涌电流冲击较具优势；
4、 在MOS管损耗方面，两者典型导通电阻值均为0.088Ω，导通损耗方面两者差异不大， 而在体二极管反向恢复时间trr方面，TPW65R100MFD明显更小，更小的反向恢复时间使得体二极管的反向恢复电流更低，损耗减少，提高通信电源的效率；
5、 两者的工作结温Tj都为-55℃~150℃，都可达到工业等级温度要求，但TPW65R100MFD的热阻更小，意味着在相同功率下TPW65R100MFD的温升更低，有利于器件更可靠工作；
6、 封装均为TO-247封装，可PIN TO PIN替换，封装以及引脚定义对比如下：
图1：两者封装以及引脚定义
除了以上参数对比优势，世强可提供更稳定的供货交期以及更优惠价格，如东微OSG65R099HZ出现缺货的情况下，笔者推荐使用世强公司代理的TPW65R100MFD替换OSG65R099HZ进行设计。
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
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BVdss（V） min
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BVdss（V） typ
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ID（A）
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Vth（V）min
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Vth（V）max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
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640
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1320
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12
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2.5
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4
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