【选型】可替换东微OSG65R099HZF的超级结功率MOSFET，应用于通信电源，反向恢复时间trr更低
随着5G通信的普及，通信电源在满足高效率、高功率密度以及高可靠性的同时，也趋向于低成本化，目前了解到通信电源上有用到国产东微半导体高压超级结MOS管OSG65R099HZF ，本文主要介绍国产紫光微的超级结功率MOSFET TPW65R100MFD可完美替换东微OSG65R099HZF，两者主要参数对比如表一：
表一：TPW65R100MFD与OSG65R099HZF主要参数对比表
从以上对比表可知：
1、 在VDS耐压方面， TPW65R100MFD和OSG65R099HZF的耐压均为650V，均满足市电输入220VAC电压在耐压方面的需求，并留有足够余量；
2、 在连续漏极工作电流Id方面，无论MOS壳温TC在25℃或100℃情况下，TPW65R100MFD的Id均比OSG65R099HZF的要大，故在通信电源相同功率下，TPW65R100MFD的电流余量更大，更可靠安全使用；
3、 在脉冲漏极电流Id(pluse)方面，TPW65R100MFD最大额定值为141A，比OSG65R099HZF的114A稍大，故TPW65R100MFD的抗浪涌电流冲击较具优势；
4、 在MOS管损耗方面，两者典型导通电阻值均为0.088Ω，导通损耗方面两者差异不大， 而在体二极管反向恢复时间trr方面，TPW65R100MFD明显更小，更小的反向恢复时间使得体二极管的反向恢复电流更低，损耗减少，提高通信电源的效率；
5、 两者的工作结温Tj都为-55℃~150℃，都可达到工业等级温度要求，但TPW65R100MFD的热阻更小，意味着在相同功率下TPW65R100MFD的温升更低，有利于器件更可靠工作；
6、 封装均为TO-247封装，可PIN TO PIN替换，封装以及引脚定义对比如下：
图1：两者封装以及引脚定义
除了以上参数对比优势，世强可提供更稳定的供货交期以及更优惠价格，如东微OSG65R099HZ出现缺货的情况下，笔者推荐使用世强公司代理的TPW65R100MFD替换OSG65R099HZ进行设计。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由搬砖小能手提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【选型】全桥式电源应用上的超结MOSFET如何选型？
全桥式电源比半桥电路提供更高效率，所以它们主要用于大功率应用（超过1kW）。在一些要求输出功率较高的领域，全桥式开关电源变换技术占有者十分重要的地位。本文介绍全桥式电源的超结功率MOSFET如何选型，并以3kW DCDC产品为例推荐无锡紫光微TPW65R100MFD。
【选型】如何给不同封装结构的器件选择标准板级散热器
功率器件中常用的封装有TO‐218、TO‐220、TO‐247等等，而功率器件最大的问题就是散热问题。爱美达（AAVID）公司在不同类型封装方面的散热器具有非常丰富的选择，满足不同发热功率散热需求。相比于很多工程师自行设计开模的散热器，使用标准封装的散热器具有性能好、可靠稳定、价格便宜、一致性好、资料详细准确等特点。
【选型】国产超级结功率MOSFET TPP60R350C替代FMP10N60S1在交流变频风机设计，导通损耗和发热量更低
紫光微TPP60R350C在交流变频风机做国产替代设计，替代富士的FMP10N60S1，其大电流、漏源导通电阻RDS(ON)、Qg等参数更适合交流变频风机系统，在某中央空调系统厂商做交流变频风机的国产替代设计，在楼宇新风系统中测试发现MOSFET温度会低4-6℃。
【应用】国产内置FRD的超结功率MOS管TPW65R100MFD用于2KW便携式储能电源，导通电阻最大值为100mΩ
紫光微超结功率MOS管TPW65R100MFD助力2KW便携式储能电源AC220V逆变输出部分的优势。
TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A 1200V Super-junction Power MOSFET
型号- TPW120R800A,TPA120R800A,TPB120R800A
无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表
无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ：15.6~2000，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max：18~2200。
|
产品型号
|
品类
|
Product State
|
封装形式
|
Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
|
Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
|
BVdss（V） min
|
BVdss（V） typ
|
ID（A）
|
Vth（V）min
|
Vth（V）max
|
应用建议
|
|
TPW120R800A
|
SJ-MOSFET
|
M
|
TO-247
|
640
|
800
|
1200
|
1320
|
12
|
2.5
|
4
|
辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
|
选型表 - 无锡紫光微 立即选型
无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
BVdss(V)
|
ID(A)Tc=25℃
|
Vth(V)min
|
Vth(V)max
|
Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
|
Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
|
|
TPW50R060C
|
Super Junction MOSFET
|
TO-247
|
500
|
47
|
2.5
|
4
|
0.043
|
0.06
|
选型表 - 无锡紫光微 立即选型
TPA80R300A,TPP80R300A,TPR80R300A 800V Super-junction Power MOSFET
型号- TPA80R300A,TPP80R300A,TPR80R300A
TPA100R800A,TPB100R800A,TPW100R800A 1000V Super-junction Power MOSFET
型号- TPA100R800A,TPB100R800A,TPW100R800A
TPA80R250A,TPP80R250A,TPR80R250A,TPW80R250A 800V Super-junction Power MOSFET
型号- TPP80R250A,TPA80R250A,TPW80R250A,TPR80R250A
TPA65R070D,TPB65R070D,TPP65R070D,TPW65R070D 650V Super-junction Power MOSFET
型号- TPA65R070D,TPB65R070D,TPW65R070D,TPP65R070D
【应用】国产超结MOS管TPA80R750C助力蓄电池充电器辅源设计，RDson低至660mΩ
本文重点介绍国产无锡紫光微800V超级结功率MOS管TPA80R750C，助力单管反激式辅助电源设计，最高耐压为800V，漏极持续电流为8A@100℃，针对100以内辅助电源设计较高的的电流余量可提高电源效率，降低成本。
电子商城
现货市场
服务
可定制ATD TE Dehumidifier的冷却功率：20~220W；工作电压：12V(DC)/ 220V(AC)；控温精度：≤±0.5℃；尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400(长*宽;单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论