【经验】N沟道MOSFET和P沟道MOSFET在防反接电路该如何进行设计
在一些较大负载电流的应用中，采用传统二极管做防反接电路，会因较高的正向压降产生较高的能耗，此时一般采用内阻较低的MOS管来替代二极管做防反接电路。然而在实际应用中，是选N沟道MOSFET还是P沟道MOSFET来设计防反接电路是比较棘手的问题，本文将讨论一下NMOS和PMOS在防反接电路该如何进行设计以及两者间的区别。
MOS管防反接电路是利用MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFET的RDC(ON)只有毫欧级别，解决了二极管防反接中存在的压降和功耗过大问题。极性反接保护将保护用的MOS管与被保护电路串联连接，保护用的MOS管为PMOS或NMOS。
如图1，若是NMOS，NMOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。正接时候，R1提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用，保护整体电路。
图1 NMOS管输入防反接电路原理图
如图2，若为PMOS，其G管脚和S管脚分别连接被保护电路的接地端和电源端，其D管脚连接被保护电路中PMOS元件的衬底,，原理和NMOS基本一致。
图2 PMOS管输入防反接电路原理图
由以上可以看出，两者在防反接电路设计时，NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。PMOS管接在电源的正极，栅极低电平导通。但NMOS管的导通电阻比PMOS的小，最好选NMOS。DIOTEC旗下拥有一系列低导通电阻的NMOS产品，具有低导通电阻、快速开关、低栅极电荷、雪崩耐量高等特点。如DIT150N03，导通电阻仅3.5mΩ，目前已有部分客户使用，有兴趣的读者可以在世强电商平台检索相关资料进一步了解。
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