【产品】规格为20A/60V的N沟道增强型场效应晶体管SK20N06A，适用于电源管理功能和背光等

时间： 2022-09-05 来源：时科

技术问答

时科推出的N沟道增强型场效应晶体管 SK20N06A，采用Trench Power MV MOSFET技术，优秀的散热封装及低R_DS(ON)的高密度单元设计，使其特别适用于DC-DC转换器，电源管理功能和背光等应用。绝对最大额定值方面，在T_C=25℃时，SK20N06A的漏极电流达20A，在T_A=25°C时，漏-源电压达60V。其封装及引脚如下图所示。

产品概要

● V_DS ：60V

● I_D ：20A

● R_DS(ON)( 当 V_GS=10V) ＜43mΩ

● R_DS(ON)( 当 V_GS=4.5V) ＜47 mΩ

● 100% UIS 测试

● 100% ▽V_DS 测试

一般说明

● Trench Power MV MOSFET技术

● 优秀的散热封装

● 低R_DS(ON)的高密度单元设计

应用

● DC-DC转换器

● 电源管理功能

● 背光

绝对最大额定值（ T_A=25°C，除非另有说明）

电气特性（ T_J=25°C，除非另有说明）

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