【产品】规格为20A/60V的N沟道增强型场效应晶体管SK20N06A,适用于电源管理功能和背光等

2022-09-05 时科
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时科推出的N沟道增强型场效应晶体管SK20N06A,采用Trench Power MV MOSFET技术,优秀的散热封装及低RDS(ON)的高密度单元设计,使其特别适用于DC-DC转换器,电源管理功能和背光等应用。绝对最大额定值方面,在TC=25℃时,SK20N06A的漏极电流达20A,在TA=25°C时,漏-源电压达60V。其封装及引脚如下图所示。

SK20N06A-1.png

产品概要

● VDS :60V

● ID :20A

● RDS(ON)( 当 VGS=10V) <43mΩ

● RDS(ON)( 当 VGS=4.5V) <47 mΩ

● 100% UIS 测试

● 100% ▽VDS 测试


一般说明

● Trench Power MV MOSFET技术

● 优秀的散热封装

● 低RDS(ON)的高密度单元设计


应用

● DC-DC转换器

● 电源管理功能

● 背光

 

绝对最大额定值( TA=25°C,除非另有说明)

SK20N06A-2.png

电气特性( TJ=25°C,除非另有说明)

SK20N06A-3.png

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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