【产品】规格为20A/60V的N沟道增强型场效应晶体管SK20N06A，适用于电源管理功能和背光等
时科推出的N沟道增强型场效应晶体管SK20N06A，采用Trench Power MV MOSFET技术，优秀的散热封装及低RDS(ON)的高密度单元设计，使其特别适用于DC-DC转换器，电源管理功能和背光等应用。绝对最大额定值方面，在TC=25℃时，SK20N06A的漏极电流达20A，在TA=25°C时，漏-源电压达60V。其封装及引脚如下图所示。
产品概要
● VDS ：60V
● ID ：20A
● RDS(ON)( 当 VGS=10V) ＜43mΩ
● RDS(ON)( 当 VGS=4.5V) ＜47 mΩ
● 100% UIS 测试
● 100% ▽VDS 测试
一般说明
● Trench Power MV MOSFET技术
● 优秀的散热封装
● 低RDS(ON)的高密度单元设计
应用
● DC-DC转换器
● 电源管理功能
● 背光
绝对最大额定值（ TA=25°C，除非另有说明）
电气特性（ TJ=25°C，除非另有说明）
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产品型号
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品类
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POLARITY
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Pd(mW)
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Id(A)
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Vds(V)
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Vgs(V)
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DS導通@10V(mΩ)
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Package
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SKG60N03
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场效应管
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N-Channel
|
-
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60
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30
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±20
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8.5
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TO-252
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选型表 - 时科 立即选型
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