平伟实业国内率先推出PDFN5X6双面散热技术,加上CLIP(夹片)工艺,突破功率器件封装极限
当前,低碳化和数字化正推动电源管理技术朝着全新趋势大步迈进,提高效率、减轻设备重量、提高功率密度以及为电动汽车提高续航里程,都是大家在日常中共同关心的话题。在半导体行业中的相当长一段时间内,功率半导体、模拟半导体和数字半导体技术的演进都围绕着低碳化发展,例如数字芯片工艺节点一路演进,功率半导体的演进主要是在晶圆部分,不断向更小的芯片尺寸和更低的导通阻抗发展。
以硅基功率半导体为例,在Figure Of Merit系数(简称FOM值)上,SGT或超结技术基本上已经达到其物理极限,在此情况下要继续把导通阻抗或能效做得更好,封装成为了必须突破的瓶颈。大部分MOSFET制造商都对芯片采用了有效的散热,针对中低压MOS,最常用的封装方式即PDFN5X6(或称SuperSO8)。 该封装应用广泛,主要具备以下几个优势,散热性能和电性能方面效率极高,高可靠性(具有机械稳定性,为芯片提供很好的保护)。
国际功率器件头部厂家率先提出了顶部散热的封装方案,顶部散热的主要优势在于:
1.满足更大功率需求:优化利用电路板空间,采用开尔文源极连接,减少源极寄生电感;
2.提高功率密度:顶部散热可实现最高电路板利用率;
3.提高效率: 经优化的结构具有低电阻和超低寄生电感,可实现更高效率;
4.减轻重量:综合优化散热和发热,有助于打造更小巧的外壳,从而减少用料,减轻重量
作为国家功率半导体封测高新技术企业,平伟实业紧跟国际功率器件技术潮流,在国内率先推出了PDFN5X6双面散热技术,性能更胜一筹。
评估芯片耗散功率的一个重要参数是Rth, 该值越低,表明芯片因损耗产生的热量散发出去的能力越强,相同损耗下结温越低。在PDFN5X6的封装方式下,热量从功率产生的结散发到环境中去,主要可能有两种途径,朝下或朝上。由于面积小,侧面途径几乎可以忽略。
如下图,封装简化的电气等效热网络, 热阻(Rth)主要由硅芯片,焊料(底部/顶部),夹子/引线组成。
上表显示了三种不同封装技术数据表中报告的典型值。由于热阻的定义、热阻的测量方法和器件特性有所不同,这些数字可能因制造商而异。最重要的是热阻本身的数量级。这些数字有助于我们对不同类型的散热方法进行分类。
上述数字清楚表明,若想提高功率密度,设计师应该使用双面散热器件,因为与传统的PDFN5X6相比,从结到顶部的热阻优势相当明显,大约低4~5倍。
双面散热优势
其实利用芯片顶部层散热的方式,在早期的手机充电器中已经有尝试,当时的做法有的靠灌胶,有的靠通过塑料封装将热量传导到机壳上。可以说顶部散热方式覆盖的功率段范围相当广泛。
在5G或通信领域,目前基站基本都是无风扇设计,与手机充电器的环境类似。但基站一般靠密闭的金属外壳散热,如果不用顶部带裸铜的封装方式或双面散热,功率器件无法有效、均匀地把热量传导到外壳上。第二个主要场景是数据中心,从最近火爆的ChatGPT可以看到人类对数据无止境的需求增长是近似指数级的,在这种情况下对电源转换的效率,以及对同样机房尺寸中能够安装的设备数量提出了更高要求。
在电机控制应用中,主要通过PWN控制器控制MOS管来实现电机的电流通断,以此达到电机运动控制。由于MOS管是直接驱动电机,并且在其使用中会频繁发生堵转、急停等剧烈变化的情景,所以必须选用具有良好抗冲击能力的MOS管。推荐使用双面散热的PDFN封装的中低压MOS管,器件具有较小的尺寸和占用空间,使得它们在有限的空间环境中易于集成和布局,节省了宝贵的PCB应用空间,而且热阻更小从而散热效率更高,封装寄生电感更小,有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。
还有一种应用场景是新能源汽车,目前为了满足电动汽车的设计要求,业界在不断增加功率半导体能效的同时,还致力于减少它所占用的PCB面积,这时候对功率密度的要求也很高。双面散热能够帮助工程师在设计新能源汽车时,把更多空间留给电池动力部分。
平伟实业率先量产双面散热产品,兼顾底部和顶部散热,加上CLIP(夹片)工艺,新的封装技术,把芯片性能发挥到了极致。
据悉平伟实业在这几个领域的头部客户已经在积极采用双面散热封装的功率器件。
技术追求无止境,平伟实业持续拓展在其他封装的双面散热技术。
平伟实业为功率器件散热提供了多种不同选择。下图显示了为5x6封装和其他尺寸所设计的各种SMD封装技术组合。因此客户能够根据自身需求选择最合适的封装解决方案。
更多产品持续发布中,
产品优势:
更灵活:多种封装可供客户选择,灵活满足系统空间的各种要求,同时提供定制化服务。
更安全:完全按照车规或工规要求,全产业链监控,自有封装测试生产线,自主可控。
更强壮:在同样的内阻条件下,更优的EAS/SOA。
更放心:平伟实验室已经构建成完整的半导体器件可靠性验证、分析、及应用试验方法,并取得了CNAS认可。实验室具有独立完成汽车级AEC-Q101的器件寿命类、环境类、应力类、特殊参数类等器件可靠性验证能力,并可以根据客户的要求开展定制类试验。
关于平伟实业
平伟实业总部位于重庆,是一家超过30年发展历史的功率半导体公司,目前超过1300名员工,年产能超过200亿颗。作为功率半导体器件的开拓者,平伟实业的器件被广泛应用于消费、工业,汽车等多个领域, 为全球电子行业提供专业的支持。
公司产品通过效率的提升(如工艺、尺寸、功率及性能),获得了广泛客户的认可。公司拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品类别,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
近年来,平伟实业大力拓展业务,全面布局中高端芯片(MOSFET,IGBT,碳化硅,氮化镓,射频器件,专用IC等等)。平伟人秉承“平凡的工作,伟大的事业”的理念,30年来坚持脚踏实地,埋头苦干的态度,为行业发展而拼搏,为国家强盛而立志,以实业兴邦,产业报国为己任,为全球半导体产业发展贡献力量。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由拾一转载自重庆平伟实业股份有限公司公众号,原文标题为:双面散热,加上CLIP(夹片)工艺,突破封装极限,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
上海贝岭与您相约2023电机智造会议,将携功率半导体、电源管理IC、信号链IC等核心技术产品亮相展会
上海贝岭拥有国家级企业技术中心,公司集成电路产品业务分布在功率链(电源管理、功率器件、电机驱动业务)和信号链(数据转换器、电力专用芯片、物联网前端、非挥发存储器、标准信号产品),主要目标市场为汽车电子、工业控制、光伏、储能、能效监测、电力设备、光通讯、安防、家电、短距离交通工具、高端及便携式医疗设备以及手机摄像头模组等其它消费类应用市场。
应能微研发和销售高性能电路保护器件和功率半导体产品,是国内为数不多具有独立芯片设计能力的供应商
应能微电子成立于2012年,研发和销售高性能电路保护器件和功率半导体产品。迄今为止,累计研发投入超1亿元人民币,已开发完成600多种高性能功率器件和功率IC产品,超90%的产品已进入量产,是国内为数不多的具有独立芯片设计能力、系列齐全、性能领先的电路保护器件和功率半导体供应商。
贝思科尔参展“GAPS”,探索车规级功率半导体更多精彩!
2024全球车规级功率半导体峰会暨优秀供应商创新展(简称“GAPS ”)将于5月30日-31日在中国杭州举办,贝思科尔在现场设有展位,诚挚欢迎您的到来。活动以“车启芯时代,引领芯未来”为主题,是针对汽车电子领域中的功率半导体器件进行探讨和展示的国际性会议和展览。活动邀请了众多行业专家和学者,汇聚全球车规级功率半导体产业的精英人士,就汽车电子的发展趋势、技术前沿和产业政策等方面进行深入的探讨和交流。
HI-SEMICON(深鸿盛)MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装
型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T
MDD辰达行MOS管在电动平衡车的应用:实现电机驱动控制、管理电池系统并保护电路系统
MOS管作为影响平衡车核心电机的心脏,是各厂商在这场市场竞争中的决胜一环。如何选择一款合适的MOS管电子元器件就成了重中之重!本文介绍了MOS管在平衡车的应用,并为大家推荐辰达行相关MOS管型号,帮助大家更好地根据设计需求选择适合地MOS管器件。
【应用】国产大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片EG3116可用于无人机,耐压可达600V
无人机上的螺旋桨采用无刷电机进行控制,会使用到一颗栅极驱动芯片,本文介绍的是屹晶微电子推出的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片EG3116在无人机上的应用。
【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的选型经验分享
本文结合central的MOSFET管CWDM3011N和CWDM3011P应用,分享了一些自己在选型上积累的经验。
具有高耐压与电流能力的MOS管AO9435,可用于电机驱动和电源电路
合科泰电子AO9435 MOS管在电气性能、控制简便性、可靠性、稳定性、小体积以及工作效率等方面均表现出色,应用在消费电子、电源、计算机、汽车电子、工控以及仪器仪表等多个领域,是很多电子设备中不可或缺的元件之一。
【应用】DFN8*8封装的氮化镓MOS管SKGM18N65-N8,最大耗散功率67.5W,解决充电器体积大、效率低问题
通过采用時科的SKGM18N65-N8氮化镓MOS管,充电器可以实现瘦身设计。这款MOS管具有小体积、高耐压能力、高电流承受能力和低RDSon等优点,有助于解决充电器体积和效率的问题。
HI-SEMICON(深鸿盛)场效应管(MOSFET)选型表
目录- 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs
型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C
AM13N50 MOSFET 500V 13A N沟道增强型MOSFET
描述- AM13N50是一款500V 13A N-Channel Enhancement Mode MOSFET,适用于TO-220和TO-220F封装。该器件具有快速开关、低导通电阻和低栅极电荷等特点,适用于各种电源和电机控制应用。
型号- AM13N50T3U,AM13N50T3VU,AM13N50T3FU,AM13N50T3FVU,AM13N50
【应用】圣邦微SGM8262-2YS8G/TR系列双通道运放用于基站,具备3.5nV超低噪声以及高速度特性
在客户基站项目应用中SGM8262-2YS8G/TR运放产品具备低电压噪声使电流检测更精准、高带宽和高转换率可以实现快速响应的优势,具备强驱动能力可以驱动MOS管工作和稳定的增益等特性,另外,其产品具备两种不同封装形式。
【应用】效率高达96%的3KW 5G通信电源设计方案
如何低成本的建设低能耗、高可靠和高功率密度的通信电源系统,成为5G通信电源的挑战。本方案采用MOSFET作为主开关器件,搭配非隔离驱动IC、隔离驱动IC、保险、输入继电器、整流桥,隔离IC、TVS和4G通讯模组等器件,实现3KW的效率高达96%的5G通信电源的高功率密度设计。
MOS管怎么选?——从电压、电流两方面考虑
MOS管是电子制造的基本元件,在电路应用中必不可少,面对不同封装、不同特性的MOS管时,选择到一款正确的MOS管,不仅可以很好地控制生产制造成本,更重要的是,在为产品匹配了一款最恰当的元器件后,这在产品未来的使用过程中,将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论