【产品】采用TO-247-4封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A030065L，导通电阻低至30mΩ

时间： 2022-03-24 来源：中电国基南方

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中电国基南方（CETC）是国内最早建立4、6英寸SiC生产线的公司，容纳圆片能力10000片/年，公司通过了GB/T 19001、ISO9001等行业认证。中电国基南方（CETC）研发的高压大功率SiC电力电子器件关键技术被评为“第十三届中国半导体创新产品和技术”。中电国基南方（CETC）推出的WM2A030065L是采用TO-247-4封装的N沟道碳化硅功率MOSFET，T_C=25℃ 时漏源电压V_DS为650V，T_C=25℃ 时漏极连续电流I_D为55A，导通电阻R_DS(on)低至30mΩ。

TO-247-4封装N沟道SiC MOSFET WM2A030065L

产品特性：

第二代SiC N沟道MOSFET工艺
高阻断电压，低导通电阻
低电容高速开关
低反向恢复电荷（Qrr）二极管

产品优势：

更高效率
简化散热要求
提高功率密度
提高系统开关频率
易于并联，驱动简单
启用图腾柱PFC技术

产品应用：

EV充电器
服务器电源
太阳能光伏逆变器
UPS
DC/DC转换器

最大额定值参数（TC=25℃，除非另有说明）：

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