【产品】500V/1A的N沟道功率MOSFET,符合RoHS 2.0标准

2019-08-28 PANJIT
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PJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50PANJIT公司(强茂公司)推出同一系列的四款不同封装的N沟道MOSFET器件。工作电压均为500V,工作电流均为1A。区别在于分别采用了TO-92,SOT-223,TO-251AA, TO-252AA的封装方式。如图1为产品实物图和MOS管引脚图。

图1 产品实物图和MOS管引脚图


产品特性如下:

    导通阻抗Rds 不超过9Ω(栅极驱动电压Vgs 10V,流经MOS管的电流Id为0.5A条件下)

    开关速度快

    改进的dv/dt功能

    低栅极电荷

    低反向传输电容

    无铅,符合RoHS 2.0标准

    绿色环保塑封,符合IEC 61249标准


最高额定值和热参数如下图:

图2 最高额定值和热参数


典型特性曲线:

图3 输出特性曲线 

图4 转移特性曲线

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强茂(PANJIT)High Voltage MOSFET选型表

强茂(PANJIT)提供以下参数选型:VDS(V):400~1000,VGS(±V):30,ID(A):0.3~20.5,RDS(on) Max. (Ω)(10V):0.26~14等。高压MOSFET系列产品除了使用先进制程高效能密度设计,具有更低的传导损耗和开关损耗;可使用于充电器,家电产品,工业用设备和各式LED照明设备等交直流电源,另为确保产品性能,针对雪崩能量特性进行100%测试,确保产品品质质量。

产品型号
品类
Package
Product Status
Polarity
Config.
VDS(V)
VGS(±V)
ID(A)
RDS(on) Max. (Ω)(10V)
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ. (nC)(10V)
PJD1NA50
High Voltage MOSFET
TO-252AA
EoL
N
Single
500
30
1
9
95
4
4.2

选型表  -  PANJIT 立即选型

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品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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品类:MOSFET

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品牌:RENESAS

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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