【产品】500V/1A的N沟道功率MOSFET,符合RoHS 2.0标准
PJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50是PANJIT公司(强茂公司)推出同一系列的四款不同封装的N沟道MOSFET器件。工作电压均为500V,工作电流均为1A。区别在于分别采用了TO-92,SOT-223,TO-251AA, TO-252AA的封装方式。如图1为产品实物图和MOS管引脚图。
图1 产品实物图和MOS管引脚图
产品特性如下:
导通阻抗Rds 不超过9Ω(栅极驱动电压Vgs 10V,流经MOS管的电流Id为0.5A条件下)
开关速度快
改进的dv/dt功能
低栅极电荷
低反向传输电容
无铅,符合RoHS 2.0标准
绿色环保塑封,符合IEC 61249标准
最高额定值和热参数如下图:
图2 最高额定值和热参数
典型特性曲线:
图3 输出特性曲线
图4 转移特性曲线
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由whynot翻译自PANJIT,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】DFN2020B-6L封装的60V/3.2A N沟道增强型MOSFET PJQ2460
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN2020B-6L封装的PJQ2460(60V/3.2A)N沟道增强型MOSFET。无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。
【产品】内置ESD防护的60V/250mA N沟道增强型MOSFET 2N7002KDW-AU
PANJIT(强茂)推出了2N7002KDW-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-363封装,其中漏-源电压最大额定值为60V,连续漏极电流最大额定值为250mA。
【产品】DFN5060-8L封装的60V/42A N沟道增强型MOSFET PJQ5462A
PANJIT(强茂)推出了DFN5060-8L封装的PJQ5462A(60V/42A)N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。
【产品】选用强茂车用N沟道低压MOSFET,有效降低RDS(ON)及电容,优化您的车用电路设计
强茂最新的AEC-Q101认证的N沟道MOSFET采用先进的槽沟技术设计,有效降低RDS(ON)及电容,最小化传导损失,减少导通损耗和开关损耗,同时不影响电气性能。
【产品】DFN5060B-8L封装的40V/14A双N沟道增强型MOSFET PJQ5850-AU
PANJIT(强茂)推出了DFN5060B-8L封装的PJQ5850-AU(40V/14A)双N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。
【选型】强茂N沟道MOSFET PJQ5444-AU用于汽车电动充电口盖设计,小尺寸封装节省PCB面积
随着近些年汽车电子行业的飞速发展,汽车上的许多功能部件都在逐渐往电子化方向发展,比如电动踏板、电动充电口盖等。笔者最近就在帮客户进行电动充电口盖设计选型,一般电动充电口盖会用无刷电机实现,所以都会用到功率MOSFET。本文推荐强茂的车规级N沟道MOSFET PJQ5444-AU。
【产品】50V/500mA SOT23封装N沟道增强型MOS管PJA138K ,带ESD保护
PANJIT推出的PJA138K为50V N沟道增强型MOSFET ,带ESD保护。额定电压50V, 额定电流500mA。采用SOT23封装。
【产品】DFN3333-8L封装的PJQ4442P(40V/50A)N沟道增强型MOSFET,采用了先进的沟槽工艺技术
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN3333-8L封装的PJQ4442P(40V/50A)N沟道增强型MOSFET。采用先进的沟槽工艺技术超低的导通电阻,符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。
【选型】强茂N沟道MOSFET PJQ5540V-AU用于汽车电子水阀,符合AEC-Q101标准
本文推荐PANJIT推出的车规级N沟道MOSFET PJQ5540V-AU用于汽车电子水阀设计选型。该芯片符合AEC-Q101标准,漏源极电压40V,连续漏电流可高达92A,工作温度可达175℃;采用DFN5060X-8L小尺寸封装,节省PCB空间。
【产品】60V/25A的TO-252AA封装N沟道增强型MOSFET PJD25N06A-AU
PJD25N06A-AU是PANJIT(强茂电子)推出的一款新型N沟道增强型MOSFET器件。工作电压为60V,工作电流为25A。采用了TO-252AA的封装方式。
【产品】40V/37A的双N沟道增强型MOSFET PJQ4848P,采用DFN3333B-8L封装
PANJIT(强茂)40V/37A的双N沟道增强型MOSFET PJQ4848P,采用DFN3333B-8L封装。该产品使用了先进的沟槽工艺技术,高密度电池设计,具有超低的导通电阻,无铅符合欧盟RoHS 2.0标准,绿色环保塑封符合IEC 61249标准。
强茂(PANJIT)High Voltage MOSFET选型表
强茂(PANJIT)提供以下参数选型:VDS(V):400~1000,VGS(±V):30,ID(A):0.3~20.5,RDS(on) Max. (Ω)(10V):0.26~14等。高压MOSFET系列产品除了使用先进制程高效能密度设计,具有更低的传导损耗和开关损耗;可使用于充电器,家电产品,工业用设备和各式LED照明设备等交直流电源,另为确保产品性能,针对雪崩能量特性进行100%测试,确保产品品质质量。
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max. (Ω)(10V)
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ. (nC)(10V)
|
PJD1NA50
|
High Voltage MOSFET
|
TO-252AA
|
EoL
|
N
|
Single
|
500
|
30
|
1
|
9
|
95
|
4
|
4.2
|
选型表 - PANJIT 立即选型
【选型】国产车规级N沟道增强型PJD40N06A-AU可对标SVD5865NLT4G,工作电流达到40A
由于最近ON SEMI最近供货紧张,不少客户寻求国产方案,PANJIT(强茂)推出的PJD40N06A-AU为车规级N沟道增强型MOSFET,其特点为开关速度快,反向传输电容低,通过车规AEC-Q101认证,符合欧盟RoHS2.0无铅的标准。本文主要介绍国产车规级N沟道增强型PJD40N06A-AU与ON SEMI的SVD参数对比。
【产品】30V/90A的N沟道增强型MOSFET PJD90N03
PANJIT(强茂)推出了PJD90N03为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装,其中漏-源电压最大额定值为30V,连续漏极电流最大额定值为90A。
【产品】强茂推出20V/2A无铅N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU,SOT-23封装
PANJIT(强茂)推出的N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU,采用SOT-23封装,在TA=25℃条件下,漏源最大电压20V,漏极直流电流最大2A,在ESD保护方面,HBM保护2KV,专为开关负载、PWM应用等而设计,无铅。
电子商城
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥1.0057
现货: 2,900
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.9040
现货: 0
品牌:PANJIT
品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.0900
现货: 16,490
品牌:PANJIT
品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.1090
现货: 6,465
品牌:PANJIT
品类:Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格:¥1.1300
现货: 5,000
品牌:PANJIT
品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.1989
现货: 4,050
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.5537
现货: 3,574
品牌:PANJIT
品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥1.8453
现货: 3,150
品牌:PANJIT
品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.2848
现货: 3,000
品牌:PANJIT
品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.1537
现货: 2,930
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论