【产品】低漏电流仅50nA的硅NPN晶体管CXT5551、CXT5551E，助力高击穿电压的通用放大器
Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的一系列硅NPN晶体管——CXT5551、CXT5551E，均采用SOT-89封装，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，表面贴装封装，专为高击穿电压的通用放大器应用而设计。其产品实物图如图1所示。
图1.CXT5551、CXT5551E硅NPN晶体管实物图
CXT5551、CXT5551E硅NPN晶体管的集电极-基极击穿电压VCBO分别为180V和250V，集电极-发射极电压VCEO分别为160V和220V，发射极-基极电压VEBO均为6.0V。另外，其工作和存储结温的范围均为-65 °C~+150 °C，结壳热阻均为104°C/W，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在各个电路设计中的可靠性。同时，CXT5551、CXT5551E硅NPN晶体管在TA = 25°C时具有低漏电流，ICBO的最大值均为50nA（VCB=120V），低的漏电流所造成的危害较小，从而能够较好地保护芯片不受损坏。其封装尺寸和引脚定义如图2所示。
图2.CXT5551、CXT5551E硅NPN晶体管的封装尺寸和引脚定义图
另外，CXT5551、CXT5551E硅NPN晶体管的特征频率最小值fT分别为100MHz（VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz），当IC=10mA, IB=1.0mA时，集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值分别为0.15V和0.075V。极间电容Cob最大值分别均为6.0pF（VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz）。CXT5551、CXT5551E硅NPN晶体管具有很好的频率特性，充放电时间短，开关损耗低。主要应用于通用开关、高击穿电压的通用放大器等领域。
CXT5551、CXT5551E硅NPN晶体管的主要特点：
• 集电极-基极电压VCBO分别为180V和250V
• 集电极-发射极电压VCEO分别为160V和220V
• 其耗散功率PD均为1.2W（TA=25℃）
• 集电极连续电流IC分别为600mA
• 工作及存储结温范围为-65°C~+150°C
• 低漏电流ICBO的最大值均为50nA
• 结壳热阻均为104°C/W
• 采用SOT-89封装
CXT5551、CXT5551E 硅NPN晶体管的典型应用：
• 通用开关
• 高击穿电压的通用放大器
• CXT5551E适于电话应用
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