【产品】集电极电流高达100A的IGBT RG100N650T7,集电极-发射极电压可达650V

2022-04-07 丽正国际
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RG100N650T7丽正国际推出的一款IGBT,这种IGBT是采用先进的MagnaChip的 Field Stop沟槽IGBT技术生产的,该技术提供了高性能、卓越的质量和高稳健性。集电极-发射极电压可达650V,集电极电流高达100A(TC=25℃)。


电路及引脚图

特性

  • 高稳健性电机控制

  • VCE(sat)正温度系数

  • 非常快速的软恢复反并联二极管

  • 低EMI

  • 最高结温175°C

  • 无卤素


应用

  • 光伏逆变器

  • UPS电源

  • 焊接机


绝对最大定值(@Ta=25℃除非另有说明)

热特性

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