【产品】集电极电流高达100A的IGBT RG100N650T7,集电极-发射极电压可达650V
RG100N650T7是丽正国际推出的一款IGBT,这种IGBT是采用先进的MagnaChip的 Field Stop沟槽IGBT技术生产的,该技术提供了高性能、卓越的质量和高稳健性。集电极-发射极电压可达650V,集电极电流高达100A(TC=25℃)。
电路及引脚图
特性
高稳健性电机控制
VCE(sat)正温度系数
非常快速的软恢复反并联二极管
低EMI
最高结温175°C
无卤素
应用
光伏逆变器
UPS电源
焊接机
绝对最大定值(@Ta=25℃除非另有说明)
热特性
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