【产品】20V/7A的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B，可用于PWM应用和负载开关
扬杰科技致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的SOT-23-6L封装的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B，采用沟槽栅低压功率MOSFET技术，具有高功率和大电流载流能力。该器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。非常适用于PWM应用和负载开关。
产品封装及等效电路图
产品特征
静态漏源导通电阻不超过18mΩ（VGS=4.5V,ID=5A）
静态漏源导通电阻不超过22mΩ（VGS=2.5V,ID=3A）
静态漏源导通电阻不超过39mΩ（VGS=1.8V,ID=1.5A）
100% ▽VDS 测试
最大额定值（TA=25℃，除非额外标记说明）
应用领域
PWM应用
负载开关
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