【产品】20V/7A的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B,可用于PWM应用和负载开关

2021-02-01 扬杰科技
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扬杰科技致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的SOT-23-6L封装的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B,采用沟槽栅低压功率MOSFET技术,具有高功率和大电流载流能力。该器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃,可以在严苛的温度环境下工作。非常适用于PWM应用和负载开关。

 

产品封装及等效电路图

产品特征

静态漏源导通电阻不超过18mΩ(VGS=4.5V,ID=5A)

静态漏源导通电阻不超过22mΩ(VGS=2.5V,ID=3A)

静态漏源导通电阻不超过39mΩ(VGS=1.8V,ID=1.5A)

100% ▽VDS 测试


最大额定值(TA=25℃,除非额外标记说明)

 


应用领域

PWM应用

负载开关

 

订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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