【产品】20V/7A的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B，可用于PWM应用和负载开关

时间： 2021-02-01 来源：扬杰科技

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扬杰科技致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的SOT-23-6L封装的N沟道增强型场效应晶体管 YJS8205B，采用沟槽栅低压功率MOSFET技术，具有高功率和大电流载流能力。该器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。非常适用于PWM应用和负载开关。

产品封装及等效电路图

产品特征

静态漏源导通电阻不超过18mΩ（V_GS=4.5V,I_D=5A）

静态漏源导通电阻不超过22mΩ（V_GS=2.5V,I_D=3A）

静态漏源导通电阻不超过39mΩ（V_GS=1.8V,I_D=1.5A）

100% ▽V_DS 测试

最大额定值（T_A=25℃，除非额外标记说明）

应用领域

PWM应用

负载开关

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