【产品】20V/7A的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B,可用于PWM应用和负载开关
扬杰科技致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的SOT-23-6L封装的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B,采用沟槽栅低压功率MOSFET技术,具有高功率和大电流载流能力。该器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃,可以在严苛的温度环境下工作。非常适用于PWM应用和负载开关。
产品封装及等效电路图
产品特征
静态漏源导通电阻不超过18mΩ(VGS=4.5V,ID=5A)
静态漏源导通电阻不超过22mΩ(VGS=2.5V,ID=3A)
静态漏源导通电阻不超过39mΩ(VGS=1.8V,ID=1.5A)
100% ▽VDS 测试
最大额定值(TA=25℃,除非额外标记说明)
应用领域
PWM应用
负载开关
订购信息
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品,漏源电压VDSS(V):-100V~900V,漏极电流ID(A):-115~300,耗散功率PD(W):-0.83W~375W;
产品型号
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品类
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Package
|
Status
|
ESD
|
Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
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PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃)
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
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电子商城
现货市场
服务
提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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