【产品】20V/7A的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B，可用于PWM应用和负载开关
扬杰科技致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的SOT-23-6L封装的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B，采用沟槽栅低压功率MOSFET技术，具有高功率和大电流载流能力。该器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。非常适用于PWM应用和负载开关。
产品封装及等效电路图
产品特征
静态漏源导通电阻不超过18mΩ（VGS=4.5V,ID=5A）
静态漏源导通电阻不超过22mΩ（VGS=2.5V,ID=3A）
静态漏源导通电阻不超过39mΩ（VGS=1.8V,ID=1.5A）
100% ▽VDS 测试
最大额定值（TA=25℃，除非额外标记说明）
应用领域
PWM应用
负载开关
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|
产品型号
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品类
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Package
|
Status
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ESD
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Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
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1.6
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Standard
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