【产品】600V IGBT功率模块 V23990-K201-A-PM,可用于低功率驱动等应用
V23990-K201-A-PM是一款由VINCOTECH公司推出的基于MiniSKiiP®PIM 1产品线的IGBT功率模块,可用于低功率驱动等应用。
图1 V23990-K201-A-PM IGBT功率模块产品图
V23990-K201-A-PM IGBT功率模块的基本模块信息:
·零件号:V23990-K201-A-PM
·生产线:MiniSKiiP®PIM 1
·产品状态:批量生产
·击穿电压:600 V
·标称芯片额定电流:6 A
·标准包装数量:120
V23990-K201-A-PM IGBT功率模块的产品详情:
·拓扑结构:PIM(CIB)
·转换器+制动+逆变器
·发射极开路配置
·温度传感器
·芯片技术(主开关):IGBT3
·轻松并联
·低关断损耗
·低集电极发射极饱和电压
·正温度系数
·短尾电流
·存储温度-40~125℃
·基础隔离(例如陶瓷):氧化铝
·电气互连:弹簧接触
图2 V23990-K201-A-PM IGBT功率模块内部电路图
V23990-K201-A-PM IGBT功率模块的外壳相关细节:
·模块外壳:MiniSKiiP®1
·封装尺寸:42 mm x 40 mm
·高度:16 mm
·易于组装,一步完成
·灵活的PCB设计,无针孔
·无焊接弹簧接触
·坚固的弹簧接触
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由翻译自Vincotech,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【产品】1200V/10A PIM (CIB)拓扑结构 IGBT功率模块10-EZ12PMA010SC-L927A08T
Vincotech公司推出击穿电压1200V/额定电流10A的IGBT功率模块10-EZ12PMA010SC-L927A08T,采用PIM (CIB)拓扑结构和IGBT4芯片技术,使用flow E1模块外壳,封装尺寸62.8 mm x 34.8 mm x 12 mm,可用于工业驱动。
【产品】适用于嵌入式驱动和工业驱动的IGBT功率模块,击穿电压600V
Vincotech(威科)推出的IGBT功率模块10-FU06PPA015SB-M684B06,击穿电压为600V,标称芯片额定电流为15A,采用PIM+PFC (CIP)拓扑结构,集成分流电阻,发射极开路配置,采用IGBT3 LL作为主开关,可应用于嵌入式驱动,工业驱动等领域。
【产品】1200V/35A的IGBT功率模块80-M212PMA035M731-K220A72,可用于工业传动
Vincotech(威科)的IGBT功率模块80-M212PMA035M731-K220A72,属于MiniSKiiP®PIM 2产品系列,芯片为IGBT M7,具有低VCEsat和增强EMC性能,击穿电压为1200V,标称芯片额定电流为35A,可应用于工业传动等领域。
VINCOTECH-IGBT功率模块选型表
VINCOTECH提供以下技术参数的IGBT功率模块产品选型,VOLTAGEIN:600-1800V,CURRENTIN:4-1800A
产品型号
|
品类
|
SUB-TOPOLOGY
|
PRODUCT LINE
|
VOLTAGEIN(V)
|
CURRENTIN(A)
|
MAIN CHIP TECHNOLOGY
|
HOUSING FAMILY
|
HEIGHTIN(mm)
|
ISOLATION
|
V23990-K429-A40-PM
|
IGBT功率模块
|
CIB-KE-NTC
|
MiniSKiiP® PIM 3
|
1200
|
75
|
IGBT4
|
MiniSKiiP® 3
|
16
|
Al2O3
|
选型表 - VINCOTECH 立即选型
VINCOTECH功率模块选型表
VINCOTECH提供以下技术参数的功率模块产品选型,提供PIM模块,6管(sixpack)模块,半桥(Half-Bridge)模块,全桥(H-Bridge)模块,I型三电平(NPC)模块,T三电平(MNPC)模块,升压(Booster)模块,电力电压模块等数十种拓扑的IGBT模块选型,电压范围600-1600V,电流范围4-1800A。
产品型号
|
品类
|
产品状态
|
拓扑
|
电压(V)
|
电流(A)
|
模块高度 (mm)
|
晶圆工艺
|
封装
|
10-0B06PPA004RC-L022A09
|
SiC功率模块
|
Series production
|
PIM+PFC(CIP)
|
600V
|
4A
|
17mm
|
IGBT RC
|
flow 0B
|
选型表 - VINCOTECH 立即选型
【产品】适合太阳能逆变器和UPS应用的IGBT功率模块,击穿电压650V
Vincotech(威科)推出的IGBT功率模块10-PY07NIA100S503-M515F58Y,击穿电压为650V,标称芯片额定电流为100A,采用Three-level NPC (I-Type)电路拓扑结构,集成温度传感器,采用IGBT S5作为主开关。
【产品】600V/100A Sixpack IGBT功率模块10-EY066PA100SA-L194F38T
Vincotech公司推出10-EY066PA100SA-L194F38T IGBT功率模块,击穿电压600V /额定电流100A,属于flowPACK E2产品系列,采用Sixpack拓扑结构和IGBT3芯片技术,flow E2模块外壳,封装尺寸62.8 mm x 57.7 mm x 12 mm,可用于工业驱动。
【产品】1200V/690A的IGBT功率模块A0-VS122PA690M7-L750F70
Vincotech(威科)的IGBT功率模块A0-VS122PA690M7-L750F70,A0-VP122PA690M7-L750F70T,拓扑结构为半桥,标称芯片额定电流为690 A,击穿电压为1200 V,可应用于工业传动,电源,UPS等领域。
【产品】1600V/110A的IGBT功率模块,采用Rectifier (+Brake)拓扑结构
Vincotech(威科)1600V/110A的IGBT功率模块10-P0164RA110RJ-LN06J19Y,属于flowCON 0系列,击穿电压高达1600V,标称额定电流110A;存储温度宽至-40~125°C,最大结温为150°C。
【产品】1500V/600A的IGBT功率模块B0-SP10NAE600S7-LQ89F08T
Vincotech(威科)的B0-SP10NAE600S7-LQ89F08T型IGBT功率模块,该产品击穿电压为1500V,标称芯片额定电流为600A,采用三电平ANPC拓扑结构,可应用于太阳能逆变器中。
【产品】1200V/100A的IGBT功率模块V23990-K420-A42-PM
Vincotech推出的IGBT功率模块V23990-K420-A42-PM,击穿电压为1200V,标称芯片额定电流为100A,尺寸为82 mm x 59 mm x 16 mm,拓扑为PIM(CIB),芯片技术采用IGBT4,可应用于嵌入式驱动器,工业驱动等领域。
【产品】1200V/80A的IGBT功率模块10-PY126PA016ME-L227F13Y
Vincotech(威科)的IGBT功率模块10-PY126PA016ME-L227F13Y,属于flowPACK 1 SiC产品系列,拓扑结构为Sixpack,击穿电压为1200V,标称芯片额定电流为80A,标准包装数量为100,模块外壳为flow 1,可应用于充电站,电源等领域。
【产品】650V/50A采用H6.5拓扑结构的 IGBT功率模块10-PY07BVA050S5-LF44E18Y
Vincotech公司推出10-PY07BVA050S5-LF44E18Y IGBT功率模块,属于flowSOL 1 BI (TL)产品系列,击穿电压650V,额定电流50A,采用H6.5拓扑结构和IGBT S5芯片技术,封装尺寸82 mm x 37.4 mm x 12 mm,可用于电源和UPS应用。
【产品】1200V/75A IGBT功率模块10-PZ06NIA075SA-P926F33Y
全球领先的 IGBT功率模块解决方案的供应商Vincotech(威科)推出的10-PZ06NIA075SA-P926F33Y IGBT功率模块,击穿电压为1200V,标称芯片额定电流为75A。且该产品具有低关断损耗等优点,专为太阳能和UPS应用设计。
【产品】1200V/80A的IGBT功率模块 10-PY12B2A080N3-LP26L26Y
Vincotech(威科)的IGBT功率模块10-PY12B2A080N3-LP26L26Y,属于flowBOOST 1 dual产品系列,采用Booster拓扑结构,该器件采用最新的IGBT和SiC技术,为低电感设计,击穿电压为1200V,标称芯片额定电流为80A,可应用于太阳能逆变器等领域。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论