【产品】规格为1200V/60A的N沟道碳化硅MOSFET ASC60N1200MT4，适用于EV充电
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特点：
•低电容高速开关
•高阻断电压，低RDS(on)
•使用标准栅极驱动，驱动简单
•100%雪崩测试
•最高结温150°C
•符合RoHS标准
应用：
•EV充电
•DC-AC逆变器
•高压DC/DC转换器
•开关模式电源
•功率因数校正模块
•电机驱动
订购信息：
绝对最大额定值(Tc=25°C)
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage（V）
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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选型表 - 爱仕特 立即选型
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