【产品】规格为1200V/60A的N沟道碳化硅MOSFET ASC60N1200MT4，适用于EV充电
ASC60N1200MT4是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅MOSFET。其采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保该器件具有低电容和栅极电荷特性。该器件的系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。绝对最大额定值(Tc=25°C)方面，其漏源电压为1200V，Tc=25°C时的漏极电流（连续）为60A，耗散功率（Tc=25°C）为328W，结温和存储温度范围为-55°C至+150°C。TJ=25°C条件下，其静态漏源导通电阻的最大值仅为45mΩ（VGS=20V，ID=40A）。该器件可用于EV充电、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动领域，其产品外形及内部电路如下图所示。
特点：
•低电容高速开关
•高阻断电压，低RDS(on)
•使用标准栅极驱动，驱动简单
•100%雪崩测试
•最高结温150°C
•符合RoHS标准
应用：
•EV充电
•DC-AC逆变器
•高压DC/DC转换器
•开关模式电源
•功率因数校正模块
•电机驱动
订购信息：
绝对最大额定值(Tc=25°C)
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爱仕特SiC Chips选型表
提供爱仕特SiC Chips选型，覆盖TO-247-3，TO247-4L，TO-247-4，DFN8*8，DFN 10*12等常规封装，覆盖常规功率段，电压650V-3300V，电流5A-100A
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage（V）
|
RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
|
Status
|
|
ASC8N650MT3
|
SiC Chips
|
TO-247-3
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650V
|
320mohm
|
-40~175℃
|
Development
|
选型表 - 爱仕特 立即选型
电子商城
服务
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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