【产品】漏极电流高达150A的中压N沟道增强型场效应管，最高耐温175°C，适用于DC-DC转换器
YJB150N06C为扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管，采用沟槽功率中压MOSFET技术，漏源电压60V，漏极电流150A（@TC=25°C），适合中压电路。已100%通过UIS（非钳位感性负载开关过程）和▽VDS测试，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、工业和电机驱动应用等相关领域。
图1 YJB150N06C封装及电路图
YJB150N06C的总栅极电荷典型值77nC（@VGS=10V,VDS=30V,ID=55A），可实现高开关速度。RDS（ON）最大值不超过5.5mΩ（@VGS= 10V, ID=75A），较低的导通电阻可有效降低开关损耗。具有出色的温度范围，结温和储存温度范围均为-55°C～+175°C，具有极强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
YJB150N06C特点：
沟槽功率中压MOSFET技术
具有出色散热能力的封装
高密度单元设计，具有低RDS（ON）
YJB150N06C应用：
DC-DC转换器
电源管理功能
工业和电机驱动应用
YJB150N06C订购信息：
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