【产品】PANJIT推出N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，规格为30V/4.4A

时间： 2022-06-15 来源：PANJIT

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强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，在T_A=25℃的条件下，其最大额定值方面，漏源电压为30V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为4.4A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。

产品外观和示意图

特点：

● 漏源导通电阻R_DS(ON)<48mΩ（V_GS=10V，I_D=4.4A）

● 漏源导通电阻R_DS(ON)<70mΩ（V_GS=4.5V，I_D=2.8A）

● 先进的沟槽工艺技术

● 专为开关负载、PWM应用等设计

● AEC-Q101合格

● 无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

● 绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

机械数据：

● 外壳：SOT-23封装

● 端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

● 重量约为：0.0003盎司，0.0084克

最大额定参数和热特性(T_A=25℃，除非另有说明)：

电气特性（T_A=25℃，除非另有说明）：

注：

1. 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

2. 基本上与工作温度典型特性无关

3. R_θJA是结至外壳和外壳至环境的热阻之和，其中外壳热参考被定义为漏极引脚的焊料安装表面，安装在1 inch FR-4、2oz方形铜垫上

4. 最大额定电流受封装限制

5. 设计保证，无需进行产品测试

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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)

RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)

RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)

RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)

RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)

RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)

选型表 - PANJIT 立即选型

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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。

最小起订量： 1 提交需求>

粘结钕铁硼磁铁定制

可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，

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