【产品】PANJIT推出N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，规格为30V/4.4A
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，在TA=25℃的条件下，其最大额定值方面，漏源电压为30V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为4.4A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
产品外观和示意图
特点：
● 漏源导通电阻RDS(ON)<48mΩ（VGS=10V，ID=4.4A）
● 漏源导通电阻RDS(ON)<70mΩ（VGS=4.5V，ID=2.8A）
● 先进的沟槽工艺技术
● 专为开关负载、PWM应用等设计
● AEC-Q101合格
● 无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
● 绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
● 外壳：SOT-23封装
● 端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
● 重量约为：0.0003盎司，0.0084克
最大额定参数和热特性(TA=25℃，除非另有说明)：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
注：
1. 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
2. 基本上与工作温度典型特性无关
3. RθJA是结至外壳和外壳至环境的热阻之和，其中外壳热参考被定义为漏极引脚的焊料安装表面，安装在1 inch FR-4、2oz方形铜垫上
4. 最大额定电流受封装限制
5. 设计保证，无需进行产品测试
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