【产品】互补增强模式MOS场效应管AP4606，N和P沟道漏源电压均为30V，可用于高功率DC/DC转换
铨力半导体推出的AP4606互补增强型MOSFET是一款SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。该N沟道功率MOSFET（P通道功率MOSFET）的N沟道和P沟道的漏源电压均为30V，用于高功率DC/DC转换和功率开关，适用于作负载开关或脉宽调制应用。
电路图
特性
N沟道
■VDS=30V
■ID=6.9A
■RDS（ON）<28mΩ（VGS=10V时）
■RDS（ON）<42mΩ（VGS=4.5V时）
P沟道
■VDS=30V
■ID=6A
■RDS（ON）<35mΩ（VGS=10V时）
■RDS（ON）<58mΩ（VGS=4.5V时）
用途
用于高功率DC/DC转换、功率开关、高效率开关DC/DC转换器、模式电源开关，适用于作负载开关或脉宽调制应用。
引脚排列
极限参数（Tc=25℃）
外形尺寸图（单位：mm）
耐焊接热试验条件
温度：260±5℃
时间：10±1sec.
包装规格
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