【产品】互补增强模式MOS场效应管AP4606，N和P沟道漏源电压均为30V，可用于高功率DC/DC转换
铨力半导体推出的AP4606互补增强型MOSFET是一款SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。该N沟道功率MOSFET（P通道功率MOSFET）的N沟道和P沟道的漏源电压均为30V，用于高功率DC/DC转换和功率开关，适用于作负载开关或脉宽调制应用。
电路图
特性
N沟道
■VDS=30V
■ID=6.9A
■RDS（ON）<28mΩ（VGS=10V时）
■RDS（ON）<42mΩ（VGS=4.5V时）
P沟道
■VDS=30V
■ID=6A
■RDS（ON）<35mΩ（VGS=10V时）
■RDS（ON）<58mΩ（VGS=4.5V时）
用途
用于高功率DC/DC转换、功率开关、高效率开关DC/DC转换器、模式电源开关，适用于作负载开关或脉宽调制应用。
引脚排列
极限参数（Tc=25℃）
外形尺寸图（单位：mm）
耐焊接热试验条件
温度：260±5℃
时间：10±1sec.
包装规格
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由FY转载自铨力半导体，原文标题为:AP4606 互补增强模式MOS场效应管，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】采用DFN3*3封装的N沟道功率MOSFET AP0803QD，导通电阻低至9mΩ
AP0803QD系列是铨力半导体推出的采用创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。采用DFN3*3封装，为设计者提供了一种极为高效的器件，可广泛用于各种电源应用领域。
【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列，沟槽处理技术设计实现低导通电阻
铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET，采用沟槽处理技术设计，实现尽可能低的导通电阻，它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ（VGS=2.5V，ID=0.5A）。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性。
【产品】AP6009S型N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，静态漏源导通电阻小于18mΩ
AP6009S是铨力半导体推出的采用先进沟槽技术设计的的N沟道功率MOSFET，采用超低导通电阻的高密度单元设计，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于18mΩ@VGS=10V（典型值为14 mΩ），低导通电阻有效地降低了开关损耗，应用范围广泛。
铨力半导体Trench MOS选型表
铨力半导体提供如下参数的Trench MOS:先进的沟槽技术，出色的RDS(on)和低栅极电荷, VGS (V)跨度达±20，多种封装形式SOT23-3/SOT23-6/SOP-8等
|
产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
|
选型表 - 铨力半导体 立即选型
AP4008QD N沟道功率MOSFET数据手册
描述- 本资料为All Power Microelectronics Co., Ltd.提供的一款电子元件的技术规格说明。内容包括绝对最大额定值、修订历史和免责声明。
型号- AP4008QD
AP10N65F N沟道功率MOSFET数据手册
描述- 该资料介绍了AP10N65F型号的N通道功率MOSFET的特性，包括其电气参数、应用领域和封装信息。该器件具有650V的耐压、10A的连续漏极电流和低导通电阻，适用于PWM应用、负载开关和电源管理。
型号- AP10N65F
【产品】600V的N沟道功率MOSFET SLP60R180E7系列，适用于高效开关模式电源
SLP60R180E7、SLF60R180E7是美浦森推出的N沟道功率MOSFET，漏源电压最大额定值为600V，连续漏极电流最大额定值为20A，采用TO-220、TO-220F封装，无铅，符合RoHS标准，非常适合应用于高效开关模式电源。
【产品】500V N沟道功率MOSFET，大功率开关电源的理想选择
日本新电元公司推出的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管——P10F50HP2/P13F50HP2/P15F50HP2/P20F50HP2，性能稳定可靠，是设计中大功率开关电源的理想选择。具有高电压、低导通电阻、高切换速度，高雪崩耐久性，高di/dt耐久性等优点。广泛使用于继电器驱动，高速脉冲放大器，驱动器等应用。
【产品】10V/10A的N沟道功率MOSFET SLD10N10T/SLP10N10，导通损耗最小，开关性能优越
SLD10N10T/SLP10N10T是美浦森（Maplesemi）推出的采用先进平面条纹沟槽技术的N沟道功率MOSFET，这项先进的技术是为实现导通损耗最小化而特别设计的，可提供卓越的开关性能。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论