明芯微新推100V耐压的理想OR-ing控制器MX16171D100，反向电流50nS的响应速度，采用DFN3x2封装
无锡明芯微电子推出工作电压100V耐压的理想二极管OR-ing控制器，代替高边防电流倒灌场景功能的肖特基或PMOS，为多电源OR-ing结构的电源产品提供低功耗，小型化的解决方案，可被广泛的应用在通讯电源，汽车，新能源，电动工具，通讯，安防等领域。这样明芯微电子的OR-ing控制器就包括如下5个型号满足不同客户的应用需求，帮助客户在有防止电流倒灌的需求场合做到性能和成本最优
MX16171D100采用无锡明芯微电子的发明专利内置多级电荷泵技术和高边浮地驱动技术解决了高侧驱动的应用问题
采用100V工艺的耐压等级覆盖了通讯48V电源，72V电源，以及电动工具的20V，40V和60V，80V和电动车的54V，72V和90V等应用的场景，它有着如下特点：
1.很宽的工作电压范围5V-100V，在不考虑成本的情况下能够覆盖最低5V和最高100V的应用，能够降低客户的产品使用个数，做大一个产品全电压覆盖；
2.110V的瞬态工作电压而不会损坏；
3.采用内部多级电荷泵技术驱动外接NMOS，外接NMOS的大小可选，适用于不同电流应用的需求；
4.反向电流50nS的响应速度；
5.2A的快速关断电流使得反向电流截至关断实际纳秒级；
6.通用的DFN3x2的封装尺寸；
输入VIN=29V，VVS=VIN，IO=1A，VOUT从悬空到30.9V（点触）,测试从VOUT=VIN到VGATE=VIN+1V的时间tGATE(REV)=96ns，从该图我们看出当输出电压（30.9V）突然高于输入(29V)的时候，芯片快速相应在100ns以内关断了外接MOS，Vgs电压从10v降低到0V。
Vgs无论在输入电压是多少的情况下都能稳定的跟随在10V左右
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