【选型】推荐车规级N沟道超级沟槽II功率MOSFET NCEAP023N10LL用在DC-DC项目中的同步整流部分
DC-DC项目中，低压输出侧一般采用同步整流的方式，来降低系统损耗从而提高系统转换效率，同步整流电路中相较于传统IGBT，场效应管具有开关速率快的优势，能顺应当前功率变换系统中的高频化优势。NCE推出的低压大电流场效应管NCEAP023N10LL具有漏极电流大，导通内阻低的特点，能够满足此类项目的应用需求。本文就从NCEAP023N10LL性能参数以及封装尺寸方面进行分析，讨论其作为功率开关管用于DC-DC项目中的优势。
1. 移相全桥拓扑中的同步整流器：
图1.移相全桥拓扑
由上图可知，绝大多数DC-DC变换器为了实现实现零电压开关（ZVS）来提高功率密度从而降低系统开关损耗，一般会选用移相全桥的拓扑形式，移相全桥中不可或缺的需要低压大电流功率开关管来进行副边的同步整流控制，故NCE的NCEAP023N10LL低耐压高漏极电流特性在综合成本控制上具有一定的优势。
2. NCEAP023N10LL性能参数：
表1. NCEAP023N10LL性能参数
由上表可知，NCEAP023N10LL漏极平均电流值高达300A，较高的漏极平均电流值能提高系统功率变换密度；导通内阻低至1.7mΩ，能有效降低系统的功率损耗而提高系统效率；低至0.39℃/W的热阻值能有效降低系统温升，有利于提高系统的工作稳定性和可靠性；同时此期间还满足AEC-Q101车规认证，故完全适用于汽车电子的设计要求。
3. NCEAP023N10LL封装尺寸：
图2. NCEAP023N10LL封装尺寸
由上图可知，NCEAP023N10LL采用TOLL-8L封装，此封装在提高系统能效，降低EMI噪声，以及减小系统体积等方面具有较大优势。
综上所述，NCEAP023N10LL作为功率开关管用于DC-DC电路中时，在提高系统稳定性，提高系统能效，降低EMI噪声，提高系统效率等方面具备一定的优势。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
|
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
|
VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
|
工业级
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Trench
|
P
|
-12
|
-9
|
-0.7
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11.5
|
18
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14
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22
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±12
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2700
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35
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2.5
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产品型号
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品类
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Package
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IC(A) Tj=100℃
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VTH-Typ(V)
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VCE(sat)(V) @VGE=15V Typ
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VCE(sat)(V) @VGE=15V Max
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Switching Frequency
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Voltage（V)
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NCEM40W120HA34
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IGBT Module
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34mm
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40
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5.5
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2
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2.4
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10~40KHz
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1200
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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V(BR)CES (V)
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IC(A)100℃
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PD(W)25℃
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VGE(V)
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VTH(V)Typ
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VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃ Typ
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VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃ Max
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Switching
Frequency
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Tsc(us)
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NCE15TD120BT
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Trench FS II Fast IGBT
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TO-247
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1200
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15
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300
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±30
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5.5
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1.55
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1.8
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1~20KHz
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10
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