【产品】内置H桥电路的增强型闪存8位COMS单片机SC8F3762,具有2K×16 ROM、256×8 RAM
中微半导体推出的SC8F3762是一款增强型闪存8位COMS单片机,工作电压2.6V~5.5V@16MHz、2.0V~5.5V@8MHz,具有2K×16 ROM、256×8 RAM和128×8 Pro EE。内置高精度RC振荡器、WDT定时器、USART通信模块、带互补输出的PWM模块、LCD驱动模块和高精度12位ADC等;内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET,最大持续输出电流达到1.5A@6.5V。
功能特性
· 内存
- ROM:2K×16Bit
- 通用RAM:256×8Bit
· 工作电压范围:2.6V~5.5V@16MHz、2.0V~5.5V@8MHz
工作温度范围:-40℃~75℃
· 8级堆栈缓存器
· 内置高精度RC振荡器
- 设计频率8MHz/16MHz
· 简洁实用的指令系统(68条指令 )
· 指令周期(单指令或双指令)
· 查表功能
· 内置低压侦测电路
· 内置WDT定时器
· USART通信模块
· 中断源
- 3个定时中断
- RA口电平变化中断
- 其它外设中断
· 带互补输出的PWM模块
- 5路PWM,可设置成2路互补输出
- 4路PWM共用周期,独立占空比
- 1路PWM独立周期,独立占空比
· 定时器:
- 8位定时器TIMER0,TIMER2
- 16位定时器TIMER1
· 内置LCD驱动模块
- 所有I/O口都可选SEG/COM输出
- 所有I/O口都可选1/2BIAS或1/3BIAS输出
- 所有I/O口驱动电流可选
· 内置LVD模块
- 支持多种电压可选2.2V/2.4V/2.7V/3.0V/3.3V/3.7V/4.0V/4.3V
· 高精度12位ADC
- 内建高精度1.2V基准电压
- ±1.5%@VDD=2.5V~5.5V,TA=25℃
- ±2%@VDD=2.5V~5.5V,TA=-40℃~75℃
· 内置128字节EEPROM
- 可重复擦写1万次
· 内置H桥电路可直接驱动马达
- 内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET
- 最大持续输出电流达到1.5A@6.5V
系统结构框图
引脚图
型号说明
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