【产品】650V/10A的碳化硅肖特基二极管B1D10065H和B1D10065F
基本半导体的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B1D10065H和B1D10065F，反向重复峰值电压为650V，连续正向电流为10A（Tc=155℃时），总电容电荷典型值为29nC。两款产品反向电流极低，VF具有正温度系数，具有优秀的浪涌电流保护能力等特点，分别采用TO-247-2与TO-263-2封装，不含卤素，符合RoHS标准，可用于开关电源（SMPS），不间断电源和电机驱动器等应用。
电气特性方面，B1D10065H和B1D10065F的非重复正向浪涌电流均为75A，浪涌保护性能出色。Tc=25℃条件下，器件的耗散功率分别为158W和134W。工作结温均为-55~175℃，存储温度范围-55~135℃。两器件的结壳热阻的典型值分别为0.946K/W和1.113K/W。Tj=25℃下，两器件的正向压降典型值为1.43V，反向电流为1uA。
特点：
●极低的反向电流
●反向恢复电流可忽略
●与温度无关的开关特性
●VF具有正温度系数
●优秀的浪涌电流保护能力
●低电容电荷
优势：
●开关损耗极低
●通过Si二极管提高系统效率
●更高的功率密度
●更高的开关频率
●降低散热器需求
●较小的磁性元件节省了系统成本
●低EMI
应用：
●开关电源（SMPS）
●不间断电源
●电动机驱动器
●功率因数校正
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B2D20065HC1 SiC肖特基二极管
描述- 该资料介绍了B2D20065HC1型号的碳化硅肖特基二极管。这种二极管具有极低的反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关特性以及正的温度系数等特点。它适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。
型号- B2D20065HC1
基本半导体碳化硅肖特基二极管选型表
提供基本半导体碳化硅肖特基二极管选型，抗浪涌电流能力强高，反向漏电低，覆盖电压 650V/1200V,正向平均电流 2A-20A
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产品型号
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品类
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VRRM
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IF
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IFSM
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VF
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Ptot
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QC
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B1D02065K
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碳化硅肖特基二极管
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650V
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2A
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16A
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1.4V
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39W
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6.8nC
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选型表 - 基本半导体 立即选型
B3D40065HC SiC肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了B3D40065HC型号的碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、热特性、典型性能和应用领域。该二极管具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特点，适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
型号- B3D40065HC
B2D40065HC1 SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了B2D40065HC1型号的碳化硅肖特基二极管，该器件具有650V重复峰值反向电压和40A连续正向电流。它采用TO-247-3封装，具备极低的反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关特性以及正温度系数等特点。该产品适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。
型号- B2D40065HC1
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型号- B2D06065E1
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型号- B3D50120H2
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型号- B2D10065F1
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型号- B3D30120HC
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型号- B2D02120E1
B3D20120H碳化硅肖特基二极管
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型号- B3D20120H
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型号- B3D15120H
B2D40120HC1 SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了B2D40120HC1型号的碳化硅肖特基二极管。该器件具有低反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关特性等优点，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。
型号- B2D40120HC1
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