【产品】650V/10A的碳化硅肖特基二极管B1D10065H和B1D10065F
基本半导体的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B1D10065H和B1D10065F，反向重复峰值电压为650V，连续正向电流为10A（Tc=155℃时），总电容电荷典型值为29nC。两款产品反向电流极低，VF具有正温度系数，具有优秀的浪涌电流保护能力等特点，分别采用TO-247-2与TO-263-2封装，不含卤素，符合RoHS标准，可用于开关电源（SMPS），不间断电源和电机驱动器等应用。
电气特性方面，B1D10065H和B1D10065F的非重复正向浪涌电流均为75A，浪涌保护性能出色。Tc=25℃条件下，器件的耗散功率分别为158W和134W。工作结温均为-55~175℃，存储温度范围-55~135℃。两器件的结壳热阻的典型值分别为0.946K/W和1.113K/W。Tj=25℃下，两器件的正向压降典型值为1.43V，反向电流为1uA。
特点：
●极低的反向电流
●反向恢复电流可忽略
●与温度无关的开关特性
●VF具有正温度系数
●优秀的浪涌电流保护能力
●低电容电荷
优势：
●开关损耗极低
●通过Si二极管提高系统效率
●更高的功率密度
●更高的开关频率
●降低散热器需求
●较小的磁性元件节省了系统成本
●低EMI
应用：
●开关电源（SMPS）
●不间断电源
●电动机驱动器
●功率因数校正
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