100V 3.8Ω N沟道SGT MOSFET AKG10N038GL，适用于高效电源管理

时间： 2023-03-01 来源：瑶芯微

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瑶芯微推出型号为AKG10N038GL的N沟道SGT MOSFET，具有极低的导通电阻（R_DSON），同时具有出色的开关特性，特别适用于高效电源管理应用。

最大额定参数值和电气参数方面（T_A=25℃，除非另有说明），器件漏-源电压最大额定值为100V，持续漏极电流最大额定值高达104A（T_C=25℃，最大漏极电流额定值受限于T_JMAX)，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为67.5W（T_C=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于电源管理、电机驱动器、DC/DC转换器等领域。

器件特征

N沟道SGT MOSFET，且针对其高速平滑开关特性进行了优化
出色的栅极电荷×R_DSON（FOM）特性
极低的导通电阻
符合RoHS标准
无卤器件

器件应用领域

电源管理
电机驱动器
DC/DC转换器

最大额定值（T_A=25℃，除非另有说明）

热阻值

Note：

1、最大漏极电流额定值受限于T_JMAX；

2、重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制；

3、L=0.5mH, V_DD=50V, I_AS=36A, R_G=25Ω, T_J= 25℃开始；

4、贴装在最小PCB板上。

电气参数（T_J= 25℃，除非另有说明）

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