100V 3.8Ω N沟道SGT MOSFET AKG10N038GL，适用于高效电源管理
瑶芯微推出型号为AKG10N038GL的N沟道SGT MOSFET，具有极低的导通电阻（RDSON），同时具有出色的开关特性，特别适用于高效电源管理应用。
最大额定参数值和电气参数方面（TA=25℃，除非另有说明），器件漏-源电压最大额定值为100V，持续漏极电流最大额定值高达104A（TC=25℃，最大漏极电流额定值受限于TJMAX)，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为67.5W（TC=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于电源管理、电机驱动器、DC/DC转换器等领域。
器件特征
N沟道SGT MOSFET，且针对其高速平滑开关特性进行了优化
出色的栅极电荷×RDSON（FOM）特性
极低的导通电阻
符合RoHS标准
无卤器件
器件应用领域
电源管理
电机驱动器
DC/DC转换器
最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
热阻值
Note：
1、最大漏极电流额定值受限于TJMAX；
2、重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制；
3、L=0.5mH, VDD=50V, IAS=36A, RG=25Ω, TJ= 25℃开始；
4、贴装在最小PCB板上。
电气参数（TJ = 25℃，除非另有说明）
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