【产品】1200V/50mΩ的国产碳化硅MOSFET IV1Q12050T3，TO247-3封装

时间： 2021-01-01 来源：瞻芯电子

技术问答

瞻芯电子新推出的IV1Q12050T3是一款1200V/50mΩ碳化硅MOSFET，采用TO247-3封装。寄生电容小、工作结温最高达175℃，具有快速恢复体二极管，适合光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源应用。

封装和电路图

特点：

· 高压、低导通电阻

· 高速、寄生电容小

· 高工作结温

· 快速恢复体二极管

应用：

· 光伏逆变器

· UPS电源

· 电机驱动

· 高压DC/DC变换器

· 开关电源

最大额定值 （T_C=25℃，特殊说明除外）

热阻特性

电学特性 （T_C=25℃，特殊说明除外）

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由宝丁转载自瞻芯电子，原文标题为:IV1Q12050T3– 1200V 50mΩ SiC MOSFET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET，已通过AEC-Q101认证

瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）产品（IV1Q12160D7Z），该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证（AEC-Q101）。

新产品发布时间 : 2023-06-26

【产品】碳化硅MOSFET FF06320，符合RoHS和无卤素标准，适用于开关电源等领域

FF06320是即思创意推出的碳化硅MOSFET，符合RoHS和无卤素标准。在Tj=25℃的条件下，漏源电压为650V (VGS=0V, ID=100μA)，漏源通态电阻为320mΩ (VGS=18V, ID=2A)。可适用于开关电源，功率因数校正，便携式适配器，通信电源，可再生能源，D类放大器领域。

新产品发布时间 : 2022-09-01

瞻芯电子推出2款TOLL封装650V SiC MOSFET新品，比TO263-7封装体积小60%

近日，瞻芯电子正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅MOSFET产品，已完成工规级可靠性认证。这两款产品采用TOLL封装，能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求，帮助高性能电源提高能效和功率密度，并改善电磁干扰，简化PCB设计。

新产品发布时间 : 2023-03-08

解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。

技术探讨发布时间 : 2024-07-11

美浦森半导体超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表

目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET

型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G

选型指南 - 美浦森 - REV.01 - 2021 PDF 英文下载

【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。

产品发布时间 : 2024-08-29

成都蓉矽半导体有限公司(NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.)成立于2019年，拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

碳化硅MOSFET 碳化硅MOSFET晶圆碳化硅MOSFET单管碳化硅二极管碳化硅EJBS晶圆碳化硅EJBS单管二极管栅控二极管晶圆 MCR单管肖特基二极管

授权代理商 - 世强先进（深圳）科技股份有限公司线上商城技术资料

展开

深圳市森国科科技股份有限公司（SGKS）是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、SJMOS，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区深圳湾生态科技园10A栋，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。

SIC功率器件碳化硅二极管碳化硅MOSFET SiC二极管模块 SiC MOSFET模块

授权代理商 - 深圳市世强元件网络有限公司线上商城技术资料

展开

碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电，具备更高的效率、开关频率

碳化硅技术带来了更高的效率，可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时，更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸，实现更高的功率密度。此外，低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。

应用方案发布时间 : 2024-08-26

【招聘】大客户销售，负责车规级MCU/碳化硅Mosfet/IGBT/马达驱动/热失控传感器等产品

负责自动驾驶、三电系统、智能汽车、新能源汽车等热门行业；全品类1000+家国内外大牌产品线，数万家行业top级客户资源；全球领先的研发及采购服务平台，国高企业，专精特新企业，行业未来独角兽，发展机遇超多！

招聘信息发布时间 : 2024-08-09

基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

选型指南 - 基本半导体 - 2024/5/16 PDF 中文下载

芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选

芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。

原厂动态发布时间 : 2023-08-07

【选型】CISSOID 晶体管/功率开关/二极管/线性稳压器/电压参考/DC-DC转换器/栅极驱动和马达驱动器/模数转换器/比较器/放大器/逻辑门/定时器/时钟发生器选型指南

目录- Company profile DISCRETE LINEAR VOLTAGE REGULATORS DC-DC CONVERTERS GATE DRIVERS AND MOTOR DRIVERS MIXED SIGNAL comparator AMPLIFIERS LOGIC devices OSCULLATOR&TIMERS

型号- CMT-OPA,CHT-PMOS300X,CHT-74021,DIODES,10-BIT ULTRA LOW POWER ADC,CMT-74021,CHT-NMOS40XX,LINEAR VOLTAG E REGULATORS,CHT-AMAZON,TIMERS,EVK-HADES®,CHT-CG50-LP,CMT-7474,ADJUSTABLE LINEAR VOLTAG E REGULATORS,CHT-NMOS4005,CHT-74132,VESUVIO®,CMT-555,AMPLIFIERS,CHT-PALLAS,EVK-THEMIS-ATLAS,CMT-RHEA,SWITC HES,HIGH-SPEED,CHT-NMOS4010,TRANSISTORS,STROMBOLI,CMT-7486,EREBUS,CHT-NEPTUNE,DC-DC CONVERTER ICS,MERCURY,EREBUS-40,CHT-CALLISTO,CHT-NILE,CHT-HYPERION,PWM CONTROLLER,CHT-SNMOS80,EREBUS®,CHT-7474,DUAL NMOS TRANSISTOR,POWER MOSFET PMOS 30V,CONVERTERS,DIODES,CHT-LDOS-XXX,CHT-FUJI,SMALL SIGNAL MOSFET TRANSISTORS,FUJI,CMT-7408,CHT-PTC8,EREBUS-50,GATE DRIVERS AND MOTOR DRIVERS: TITAN,CHT-RHEA,CMT-7400,CHT-VOLGA,CMT-7404,VENUS,CHT-7400,DC-DC CONVERTER,CHT-7486,CHT-SPMOS30,CHT-555,CHT-7404,STROMBOLI®,TRANSCEIVERS,CHT-OPA,POWER MOSFET NMOS 80V,OSCILLATOR,COMPARATORS,SATURN,LINEAR VOLTAGE REGULATORS AND VOLTAGE REFERENCES: STAR,CHT-NMOS8005,CHT-BG3M-XXX,CHT-NMOS8001,CHT-NMOS80XX,CMT-7432,CHT-ADC10,POWER SWITCHES,BRIDGE ISOLAT ED SIC GAT E DRIVER,CHT-MAGMA,DUAL SMALL SIGNAL DIODES,8-BIT PROGRAMMABLE COMPARATOR,CHT-THEMIS-ATLAS,POWER MOSFET NMOS 40V,3A DUAL DIODE,CHT-PMOS3002,CHT-7408,CHT-LDOP-XXX,CHT-NMOS8010,CMT-THEMIS-ATLAS,CHT-GANYMEDE,EARTH,CHT-PMOS3008,VESUVIO,CHT-PMOS3004,CHT-MAGMA: VERSATI LE VO LTAG E-MODE PWM CO NTROLLER,DC-DC CONVERTERS: VOLCANO,CHT-BG03M,CHT-LDNS-XXX,DUAL ISOLAT ED TRANSCEIVER,VOL1088B,CHT-MOON,CHT-CG50,CHT-NMOS4020,HIGH-PRECISION DUAL OP AMP,CHT-7432,CHT-RIGEL,YELLOWSTONE,HADES®,OSCILLATOR & TIMERS: PULSAR,CMT-74132,AMPLIFIERS: GEMSTONE,CHT-VEGA,CHT-OPAL,DC-DC CONVERTER TECHNOLOGIES,CHT-LDN-025,MARS,CHT-AMALTHEA,CHT-74-4040,CHT-RUBY

选型指南 - CISSOID - 05/14 PDF 英文下载

森国科碳化硅MOSFET K3M075120-J用于焊机技术，大大提升能效转换，降低流程损耗

森国科的碳化硅MOS管K3M075120-J在120A焊机上的应用展现了碳化硅技术在工业焊接领域的巨大优势。通过提高能效、加快响应速度、增强可靠性、减小体积以及扩展使用范围，该技术不仅提升了焊接设备的性能，也为制造业带来了更高的生产效率和更低的运营成本。随着碳化硅技术的不断成熟和普及，我们有理由相信，未来焊接技术将因此实现更大的飞跃。

应用方案发布时间 : 2024-08-20