【产品】Diotec新推N沟道增强型FET MMFTN620KD，支持双FET特性，栅极具有ESD保护能力
DIOTEC（德欧泰克）新推出的N沟道增强型FET MMFTN620KD，采用SOT-26外壳封装，器件栅极具有ESD保护能力特性，符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定。
最大额定参数和电气特性方面，当TA=25℃时，该器件漏-源电压为60V，栅-源电压为±20V@DC，漏极电流为350mA@DC，器件工作结温和存储温度范围宽至-55~+150℃，主要应用于信号处理应用，驱动器，逻辑电平转换器，商业级应用等领域。
产品封装及PIN脚图如下所示：
主要特征
支持双FET特性
栅极具有ESD保护能力
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
信号处理应用
逻辑电平转换器
驱动器
商业级应用
机械参数
编带和卷盘包装：3000/7”
重量约0.01g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1级
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
电气特性（静态）
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