【产品】森国科1200V高性能碳化硅二极管KS20120/KS40120，漏电流纳安数量级，封装类型可定制

时间： 2021-08-26 来源：森国科

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光伏发电在全球的发展如火如荼，SiC二极管在光伏发电的地位非常重要，在逆变单元起着保护开关管的作用。如IGBT 的CE并没有二极管特性，若使用SiC MOS ，SiC MOS 二极管压降比较高，损耗较大，所以需在开关管DS上反向并联一个二极管。因SiC二极管耐高压、耐高温、抗辐射强、功率密度高、容易冷却，愈来愈受到市场的青睐，碳化硅二极管器件具有正向压降低、反向特性好、频率响应快、等特点，在光伏逆变MPPT为200V-1000V大功率的条件下更具有优势。针对光伏逆变器市场的特殊需求，森国科推出1200V/20A(KS20120)、1200V/40A( KS40120 ) JBS碳化硅器件。

森国科推出的1200V系列碳化硅二极管，静态参数耐压在1600V左右，正向压降约为1.45伏（IF=40A），漏电流在纳安的数量级上。反向恢复特性、器件热阻特性、雪崩耐量特性优秀，因超快的开关速度且无反向恢复电流，与硅器件相比，大大降低开关损耗，减小产品电磁线圈以及相关无源组件的尺寸，从而提高组装效率，减轻系统重量，并降低物料成本封装有TO-247-2、 TO-247-3 、TO-263等，封装类型可定制。

可靠性实验是验证产品质量的重要手段之一，是预测产品在未来各种应用环境使用的过程中是否能够持续正常工作的评价方法。根据产品的应用条件，设计了五个可靠性实验，他们分别是高温反向偏置实验HTRB，高温高湿反向偏置实验H3TRB、间歇工作寿命实验IOL、压力锅实验AC和温度循环实验TC。

按照JEDEC的相关标准，对产品的实验项目进行评估认证，以下是相关实验条件：

A）HTRB T=150℃ Reverse biased 960V t=1000hour

B）IOL △Tj≥100℃ ON\2min OFF\4min Cycle=10000

C）H3TRB T=85℃ RH=85% Reverse biased 100V t=1000 hour

D) TC T=-55℃\15min T=150℃\15min Cycle=1000

E) AC T=121℃ RH=100% 15psig t=96 hour

森国科推出的该产品通过了以上五项的可靠性认证实验，达到了JEDEC的可靠性实验的标准。合作伙伴认为森国科推出的SiC 肖特基二极管特性优异，已经达到替换国际主流品牌同类产品的要求，如CREE ,ST 等大厂的SiC 二极管产品。

森国科SiC二极管系列产品主要分为650V和1200V系列，使用6寸晶圆生产，车规级的生产工艺，具有高耐温，高频，高效，高压特性，在广大高功率电源产品中得到广泛应用。主要应用于矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块、新能源汽车充电机、光伏逆变器等。

KS20120-G 1200V碳化硅肖特基二极管产品特色：

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虹美功率半导体特色产品介绍

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型号- HMS330N10,HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HMG20N65F,HM1N50MR,BSS84DW,HMG20N65D,HMC8N120,HM4615Q,HMS100N20,HM12N65D,HM2302BSR,HM30SDN02D,HM2819D,HM06DP10Q,HM4889,HMS100N15,HM35DN03D,HMG40N65FT,HM4616Q,HMC5N120,HM3N40PR,HMC10N65,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HMC20N120D,HM10DP06Q,HM4618D,HM3N30R,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HMC4N65,HMC2N120K,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HM11P20,HMS135N85G,HMS5N90R2,HM2809D,HMC6N65K,HM1P20,HM4618Q,HMC6N65Q,HMS100N20D,HM1P15MR,HMC15N65,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM3N20M,HM40N120AT,HMC5N120K,HMC4N65K,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMG40N65AT,HMC20N65D,HMS80N10,HM25P15K,HM3N100,HMC20N65,HMS80N85K,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMG75N65AT,HMS15N65Q,HMC10N65Q,HM10N65D,HM609K,HMC8N65,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM4P20K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HMS310N85LL,HM25N50D,HMS15N80,HM3N120,HMC2N120,HMS330N06,HMC10N65K,HM4630D,HMS330N06D,HM3N20PR,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM10DN06Q,HM1N70PR,HMC2N65,HMS5N70R2,HM5P15D,HM2302BKR,HM08DN10D,HMS320N04LL,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMN9N65Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,HM3400DF,HM2310DF,BSS84KR,HMN9N65D,HM4489,HMN11N65D,HM2N50PR,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM40N120FT,HM4920,HM4926,HM4924,HMC15N65D,HM4N60R,HMS310N85D,HMS260N10LL,HM2300DF,HMS20N80T,HMS135N10K,HM13N50D,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HMS80N25D,HM3DN10D,HMS20N80D,HM18DP03D,HMS100N15D,HM3N150,HMS20N80F,HM8N100F,HM18SDN04D,HMS5N70R,HM2800D,HMC8N65K,HM20DN04Q,HMC8N120K,HMC8N65Q,HMS100N85,HM5N30R,HM4611D,HM18DP02Q,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HM25N120FT,HM30DN02D,HM6604BWKR,HM40SDN02Q,HMS135N10G,HMG20N65,HMS135N10D,HMC15N65T2,HMC20N120T2,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10K,HMS80N10G,HM2301BJR,BSS138DW,HMS135N85D,HM2301DR,HMS15N80F,HMC6N65,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM610K,HM2319D,HM1N60PR,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HM7002KR,HMS7N80I,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HM2803D,HMS120N85G,HMS120N85,HMC2N65K,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2P20D,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM12DP04D,HM3N120A,HM2N70R,HM11P20D,HMS85N10K,HMS330N10LL,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HM2P20Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HMC20N120,HMS330N06LL,HMS330N10D,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR,HMC20N65T2

20230219 - 虹美功率半导体 - 商品及供应商介绍 - 20230219版代理服务技术支持采购服务

虹美功率半导体特色产品介绍

描述- 深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等，适用于储能、新能源汽车、充电器、逆变器、变频器、电机驱动等应用领域。

型号- HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HMG20N65F,HM1N50MR,BSS84DW,HMG20N65D,HMC8N120,HM4615Q,HMS100N20,HM2302BSR,HM30SDN02D,HM2819D,HM06DP10Q,HMS100N15,HM4889,HM35DN03D,HMG40N65FT,HM4616Q,HMC5N120,HM3N40PR,HMC10N65,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HMC20N120D,HM3N30R,HM4618D,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HMC4N65,HMC2N120K,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS5N90R2,HM2809D,HMC6N65K,HM4618Q,HMS100N20D,HMC6N65Q,HM1P15MR,HMC15N65,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM40N120AT,HMC5N120K,HMC4N65K,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMG40N65AT,HMS80N10,HMC20N65D,HM3N100,HM25P15K,HMS80N85K,HMC20N65,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMG75N65AT,HMS15N65Q,HMC10N65Q,HM609K,HMC8N65,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HMS310N85LL,HMS15N80,HM3N120,HMC2N120,HMS330N06,HMC10N65K,HM4630D,HMS330N06D,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HM10DN06Q,HMS5N70R2,HMC2N65,HM5P15D,HM2302BKR,HMS320N04LL,HM08DN10D,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMN9N65Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,BSS84KR,HMN9N65D,HM2N50PR,HM4489,HMN11N65D,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM40N120FT,HM4920,HM3400DR,HM4926,HM4924,HMC15N65D,HMS310N85D,HM4N60R,HM2310DR,HMS260N10LL,HMS20N80T,HMS135N10K,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HMS80N25D,HM07DP10D,HMS20N80D,HM3DN10D,HMS100N15D,HM3N150,HM18DP03D,HMS20N80F,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM2800D,HMC8N65K,HM20DN04Q,HMC8N120K,HMC8N65Q,HMS100N85,HM2300DR,HM5N30R,HM4611D,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HM25N120FT,HM30DN02D,HM6604BWKR,HMS135N10G,HM40SDN02Q,HMG20N65,HMS135N10D,HMC15N65T2,HMC20N120T2,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HMS80N10K,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10G,HM2301BJR,HMS135N85D,BSS138DW,HMS15N80F,HM2301DR,HMC6N65,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM1N60PR,HM610K,HM2319D,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HMS7N80I,HM7002KR,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HMS120N85G,HM2803D,HMS120N85,HMC2N65K,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM3N120A,HM2N70R,HMS85N10K,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HM11P20K,HMC20N120,HMS330N06LL,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR,HMC20N65T2

2023/9/7 - 虹美功率半导体 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

工作温度最高可达175℃的SiC二极管，可降低Mosfet或IGBT开通损耗，适用于太阳能转换器等领域

安邦（ANBON）成立于2012年，业界领先的专注于TVS（瞬态电压抑制管）、肖特基二极管、快恢复二极管、桥堆二极管、MOSFET、SiC二极管等分离式器件研发生产的功率半导体制造商，面向工业和汽车市场，自有晶圆厂，完整封装产线。

2022-02-21 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【技术大神】手把手教你如何设计光伏逆变器

光伏发电设备逐渐向高频化、微型化、高效化发展，致力于达到光伏逆变器的高频、高效、高功率密度。笔者曾经用vincotech的10-FZ07BIA030SM01-P894E68集成模块作为主电路模块，设计过一款光伏逆变器。本文将叙述一下逆变器的选型设计过程

2016-09-19 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管，有效提升充电速度

KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量，十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用，可以显著提高充电速度，减少能量损耗，提升系统可靠性，并有助于缩小充电设备的体积。

2024-09-27 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

森国科KS10065-D碳化硅二极管助力330W适配器更高效，专为高功耗设备设计的电源供应设备

随着电子设备尤其是笔记本、游戏本和高性能工作站等的功耗日益增加，传统的低功率适配器已无法满足需求，因此330W适配器应运而生。330W适配器是专为高功耗设备设计的电源供应设备，用于确保足够的电力支持设备的运行。在330W适配器中采用650V SiC二极管不仅提高能效、优化热管理，而且在增加功率密度方面也有着巨大潜力。

2024-08-20 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

森国科SIC肖特基二极管选型表

森国科SIC肖特基二极管产品选型，阻断电压：650V,1200V,额定电流：2A-40A

产品型号	品类	封装形式Package	阻断电压 Vr(V)	额定电流IF(A)	总功耗Ptot(W)	正向电压Vf(V)	最高结温℃	Generation
KS02065-I	碳化硅二极管	SMA	650V	2A	13.5W	1.4V	175℃	第五代