【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08，导通电阻仅4.9mΩ
DIOTEC（德欧泰克）致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，拥有从晶圆和芯片的生产到组装测试和封装一整条产线。DIT120N08是其推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻，高开关速度，低栅极电荷，高雪崩能量等优点，广泛应用在DC/DC转换器，电源设备，电动工具等领域。
图1 尺寸图
DIT120N08典型应用
•DC/DC转换器
•电源
•直流驱动器
•电动工具
•商业等级
DIT120N08特性
•沟槽技术
•低导通电阻
•开关时间短
•低栅极电荷
•雪崩额定值
•通过RoHS，REACH认证
•无铅
DIT120N08机械数据
•管内/纸板包装：50/1000
•重量约为：2.2 g
•外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
•焊接和组装条件：260°C/10s MSL N/A
DIT120N08最大额定值
图2 最大额定值参数
DIT120N08 主要电气参数
图3 其他电气参数
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由biubiu翻译自Diotec，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】30V/10A N沟道功率MOSFET DI010N03PW, 采用QFN2x2节省空间的封装
Diotec推出商业等级N沟道功率MOSFET DI010N03PW，该器件漏源电压30V，漏极持续电流可达10A（25℃），导通电阻约为10mΩ，同时该器件采用QFN2x2节省空间的封装，具有剖面低，尺寸小的优点。
【产品】50A/40V的N沟道功率MOSFET DI050N04PT， 采用QFN3×3封装
Diotec（德欧泰克）的N沟道功率MOSFET DI050N04PT，采用QFN3×3封装，具有低导通电阻和快速开关时间的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为40 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为37W，允许通过的漏极连续电流为50A（TC = 25℃ ），漏极峰值电流为140 A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃。适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关，极性保护等应用场合。
【产品】德欧泰克N沟道功率MOSFET DIJ4A5N65，规格4A/650V，开关速度快且栅极电荷低
Diotec推出DIJ4A5N65的N沟道功率MOSFET，采用ITO-220封装。采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等特性，适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业、工业应用等。
DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
|
产品型号
|
品类
|
Type
|
Package
|
Drain Source Voltage VDS[V]
|
Drain Current ID[A]
|
Junction Temperature Tjmax[℃]
|
Polarity pol
|
Power Dissipation Ptot [W]
|
Peak Drain Current IDM [A]
|
Threshold Voltage VGSth[V]
|
On-Resistance RDSon[Ω]
|
On-Resistance ID[A]
|
On-Resistance VGS[V]
|
Turn-OnTime ton[ns]
|
Turn-Off Time toff[ns]
|
|
2N7000
|
MOSFETs
|
Wire-lead
|
TO-92
|
60
|
0.2
|
150
|
N
|
0.35
|
0.5
|
0.8
|
5
|
1
|
10
|
10
|
10
|
选型表 - DIOTEC 立即选型
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ， 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6薄型封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
【产品】采用TO-220AB外壳封装的N沟道功率MOSFET DIT110N08，漏源导通电阻典型值可低至3.9mΩ
Diotec推出型号为DIT110N08的N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB外壳封装。该器件采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业、工业应用等领域。
电子商城
现货市场
服务
可定制ATD TE Dehumidifier的冷却功率：20~220W；工作电压：12V(DC)/ 220V(AC)；控温精度：≤±0.5℃；尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400(长*宽;单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论