【选型】国产MOS管栅极驱动器IVCR2404DR替代MIC4424YM用于H桥逆变，驱动电流可达4A
受国际疫情影响，许多电子元件存在供货不足问题，许多厂家均在寻找国产备选方案，笔者了解到某客户便携式储能电源项目上用MICROCHIP 的MIC4424YM在AC220V逆变输出做MOS管驱动用。本文主要推荐国产瞻芯电子MOS管栅极驱动器IVCR2404DR替代MICROCHIP 的MIC4424YM，在MICROCHIP 的MIC4424YM缺货或者需求国产降本替代时，可作选型考虑。
下表一为国产瞻芯电子MOS管驱动芯片IVCR2404DR与MICROCHIP 的MIC4424YM主要参数对比：
表一：IVCR2404DR与MIC4424YM主要参数对比表
从以上参数对比表分析可知：
1、 最大工作电压VDD方面，IVCR2404DR可达24V，比MIC4424YM的22V更高，一般MOS驱动电压在12V范围，故IVCR2404DR具有更宽的设计余量，提高器件的安全性；
2、 驱动电流方面，IVCR2404DR峰值驱动电流达4A，更易于驱动MOS管工作；
3、 工作结温方面，IVCR2404DR为-40~125℃，较MIC4424YM具有更宽的工作温度范围；
4、 两者均为SOIC-8封装，大小一致；管脚定义方面，IVCR2404DR的1、8管脚具有使能管脚，可使能控制输出信号，而MIC4424YM未具备使能控制功能，其他管脚兼容；同时IVCR2404DR的1、8管脚可以悬空，也就是可以不用使能控制，可以直接替代MIC4424YM。
图1：IVCR2404DR与MIC4424YM的管脚定义
图2：IVCR2404DR真值表
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型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
研讨会2024功率器件新技术研讨会
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议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI） | 中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE） | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes） | 中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip） | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ） | Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER） | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics） | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY） |
活动 发布时间 : 2024-10-12
Product Brochure SiC Power Semiconductor and IC Solution
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV2Q0606003Z,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q17020T4Z,IV2Q06040L1,IV3B20023BA2,IV2Q20045BD,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVSM12080HA2Z,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IVO1411DDWQR,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D20020T2,IV1D12030U3,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVCO1A02DR,IVHD122M1TA2Z,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IV1D0601002,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
瞻芯电子通用栅极驱动芯片（Gate Driver）选型表
SiC 专用 ● 栅极驱动芯片：比邻驱动，瞻芯电子提供以下参数选型：Power Switch：Si/IGBT/GaN/SiC、Channels：1~2等
|
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
Power Switch
|
Channels
|
Vcc（V）
|
Iout（Source/Sink）
|
Prop. Delay(ns)
|
Package
|
|
IVCR2402DR
|
通用栅极驱动芯片
|
工业级
|
Si/IGBT
|
2
|
24
|
4 / 4
|
16
|
SOIC-8
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
IVCR2403/4/5 24V 4A Peak Source and Sink Dual-Channel Driver
型号- IVCR2405DR,IVCR2404DR,IVCR2405D,IVCR2404D,IVCR2403D,IVCR2403,IVCR2403DR,IVCR2405,IVCR2404
IVCR2403/4/5 24V 4A 拉、灌电流 双通道驱动器
型号- IVCR2405DR,IVCR2404DR,IVCR2405D,IVCR2404D,IVCR2403D,IVCR2403,IVCR2405,IVCR2403DR,IVCR2404
【产品】IVCR2403/04/05/06 24V 4A 峰值拉、灌电流双通道驱动器，采用工业标准 SOIC-8 引脚
瞻芯电子IVCR240x 是双通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，可以 高效安全地驱动 MOSFET 以及 IGBT。低传播延迟和 失配以及紧凑的 SOIC-8 封装等特点，使得 MOSFET 的开关频率可以达到数百 kHz。这款芯片非常适合用 于服务器和通讯电源的同步整流驱动，在这种场合中 同步管 MOSFET 的死区时间直接影响变换器的效率。 驱动器可以通过双通道的并联来增加输出驱动电流。
新产品 发布时间 : 2020-07-15
【选型】国产双通道高速低侧栅极驱动器IVCR2404DR用于电源模块，峰值拉、灌电流高达4A
某客户在做一款1.5KW高压转低压DC/DC电源模块产品，需要一款高速低侧栅极驱动器驱动MOSFET，拉、灌电流要求达4A，双路非反向输入的性能对标UCC27324；为此瞻芯电子推出双通道4A的高速低侧栅极驱动器IVCR2404DR，可满足此类产品的应用需求。
器件选型 发布时间 : 2022-08-14
【经验】国产IGBT/MOS管栅极驱动器在直流充电模块中的应用经验分享
在直流充电模块产品中，每一相双向开关管IGBT/MOS的驱动芯片目前出现大量缺货，交期不理想，这块大部分厂商使用的是TI的UCC27524， 本文重点介绍国产瞻芯电子IGBT/MOS管栅极驱动器IVCR2404DR，并梳理该产品在直流充电模块中的应用经验和测试数据。
设计经验 发布时间 : 2021-08-18
【应用】国产双通道栅极驱动芯片助力商用清洁机器人，具有欠压保护功能，支持最大4A的驱动电流
在商业建筑数量增多的同时，也产生了大量清洁需求，这就为商用清洁机器人带来了很大的需求。下面介绍国产瞻芯电子的双通道栅极驱动芯片IVCR2404DR用于清洁机器人的无刷电机驱动。
应用方案 发布时间 : 2023-02-16
【应用】瞻芯电子栅极驱动器IVCR2405DR助力美容仪设计，峰值拉灌电流高达4A，SOIC-8封装
美容仪的核心是产生高频率的射频信号，穿过肌肤表层，作用于深层的细胞，达到加热细胞、紧致美肤的效果，栅极驱动器IVCR2405DR就应用于射频信号的驱动部分，来驱动后级的MOS管。VDD供电电压4.5V~20V，范围高达24V。
应用方案 发布时间 : 2022-12-15
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服务
可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
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提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务，帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号，确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 成都 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
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