【选型】国产MOS管栅极驱动器IVCR2404DR替代MIC4424YM用于H桥逆变,驱动电流可达4A

2021-06-24 世强
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受国际疫情影响,许多电子元件存在供货不足问题,许多厂家均在寻找国产备选方案,笔者了解到某客户便携式储能电源项目上用MICROCHIP 的MIC4424YM在AC220V逆变输出做MOS管驱动用。本文主要推荐国产瞻芯电子MOS管栅极驱动器IVCR2404DR替代MICROCHIP 的MIC4424YM,在MICROCHIP 的MIC4424YM缺货或者需求国产降本替代时,可作选型考虑。

    

下表一为国产瞻芯电子MOS管驱动芯片IVCR2404DR与MICROCHIP 的MIC4424YM主要参数对比:

表一:IVCR2404DR与MIC4424YM主要参数对比表

从以上参数对比表分析可知:

1、  最大工作电压VDD方面,IVCR2404DR可达24V,比MIC4424YM的22V更高,一般MOS驱动电压在12V范围,故IVCR2404DR具有更宽的设计余量,提高器件的安全性;

2、  驱动电流方面,IVCR2404DR峰值驱动电流达4A,更易于驱动MOS管工作;

3、  工作结温方面,IVCR2404DR为-40~125℃,较MIC4424YM具有更宽的工作温度范围;

4、  两者均为SOIC-8封装,大小一致;管脚定义方面,IVCR2404DR的1、8管脚具有使能管脚,可使能控制输出信号,而MIC4424YM未具备使能控制功能,其他管脚兼容;同时IVCR2404DR的1、8管脚可以悬空,也就是可以不用使能控制,可以直接替代MIC4424YM。

 

图1:IVCR2404DR与MIC4424YM的管脚定义


图2:IVCR2404DR真值表


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